![AUIRF1010EZ AUIRF1010EZ](https://mm.digikey.com/Volume0/opasdata/d220001/medias/images/5442/MFG_INFINFIPAN60R360PFD7SXKSA1.jpg)
AUIRF1010EZ International Rectifier
![INFN-S-A0003615100-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw](/images/adobe-acrobat.png)
Description: AUTOMOTIVE HEXFET N CHANNEL
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 75A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.5mOhm @ 51A, 10V
Power Dissipation (Max): 140W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Part Status: Active
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 86 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2810 pF @ 25 V
на замовлення 3340 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
239+ | 88.13 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис AUIRF1010EZ International Rectifier
Description: AUTOMOTIVE HEXFET N CHANNEL, Packaging: Bulk, Package / Case: TO-220-3, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 75A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.5mOhm @ 51A, 10V, Power Dissipation (Max): 140W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA, Supplier Device Package: TO-220AB, Part Status: Active, Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 86 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2810 pF @ 25 V.
Інші пропозиції AUIRF1010EZ
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ |
---|---|---|---|---|---|
![]() |
AUIRF1010EZ | Виробник : Infineon Technologies |
![]() |
товар відсутній |