AS7C1025B-10TJCN Alliance Memory
на замовлення 13 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
1+ | 371.77 грн |
10+ | 332.18 грн |
110+ | 246.27 грн |
264+ | 243.43 грн |
1012+ | 241.3 грн |
2508+ | 240.59 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис AS7C1025B-10TJCN Alliance Memory
Description: IC SRAM 1MBIT PARALLEL 32SOJ, Packaging: Tube, Package / Case: 32-BSOJ (0.300", 7.62mm Width), Mounting Type: Surface Mount, Memory Size: 1Mbit, Memory Type: Volatile, Operating Temperature: 0°C ~ 70°C (TA), Voltage - Supply: 4.5V ~ 5.5V, Technology: SRAM - Asynchronous, Memory Format: SRAM, Supplier Device Package: 32-SOJ, Write Cycle Time - Word, Page: 10ns, Memory Interface: Parallel, Access Time: 10 ns, Memory Organization: 128K x 8, DigiKey Programmable: Not Verified.
Інші пропозиції AS7C1025B-10TJCN
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ |
---|---|---|---|---|---|
AS7C1025B-10TJCN | Виробник : ALLIANCE MEMORY |
Category: Parallel SRAM memories - integ. circ. Description: IC: SRAM memory; 1MbSRAM; 128kx8bit; 4.5÷5.5V; 10ns; SOJ32; 300mils Mounting: SMD Operating voltage: 4.5...5.5V Type of integrated circuit: SRAM memory Kind of memory: asynchronous; SRAM Memory organisation: 128kx8bit Access time: 10ns Integrated circuit features: fast IC width: 300mils Kind of interface: parallel Memory: 1Mb SRAM Case: SOJ32 кількість в упаковці: 1 шт |
товару немає в наявності |
||
AS7C1025B-10TJCN | Виробник : Alliance Memory, Inc. |
Description: IC SRAM 1MBIT PARALLEL 32SOJ Packaging: Tube Package / Case: 32-BSOJ (0.300", 7.62mm Width) Mounting Type: Surface Mount Memory Size: 1Mbit Memory Type: Volatile Operating Temperature: 0°C ~ 70°C (TA) Voltage - Supply: 4.5V ~ 5.5V Technology: SRAM - Asynchronous Memory Format: SRAM Supplier Device Package: 32-SOJ Write Cycle Time - Word, Page: 10ns Memory Interface: Parallel Access Time: 10 ns Memory Organization: 128K x 8 DigiKey Programmable: Not Verified |
товару немає в наявності |
||
AS7C1025B-10TJCN | Виробник : ALLIANCE MEMORY |
Category: Parallel SRAM memories - integ. circ. Description: IC: SRAM memory; 1MbSRAM; 128kx8bit; 4.5÷5.5V; 10ns; SOJ32; 300mils Mounting: SMD Operating voltage: 4.5...5.5V Type of integrated circuit: SRAM memory Kind of memory: asynchronous; SRAM Memory organisation: 128kx8bit Access time: 10ns Integrated circuit features: fast IC width: 300mils Kind of interface: parallel Memory: 1Mb SRAM Case: SOJ32 |
товару немає в наявності |