AS4C512M16MD4V-053BIN Alliance Memory, Inc.
Виробник: Alliance Memory, Inc.Description: IC DRAM 8GBIT LVSTLE 200FBGA
Packaging: Tray
Package / Case: 200-VFBGA
Mounting Type: Surface Mount
Memory Size: 8Gbit
Memory Type: Volatile
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TC)
Voltage - Supply: 1.06V ~ 1.17V, 1.7V ~ 1.95V
Technology: SDRAM - Mobile LPDDR4X
Clock Frequency: 1.866 GHz
Memory Format: DRAM
Supplier Device Package: 200-FBGA (10x15)
Write Cycle Time - Word, Page: 18ns
Memory Interface: LVSTLE_06
Access Time: 3.5 ns
Memory Organization: 512M x 16
на замовлення 40 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 1+ | 851.56 грн |
| 10+ | 759.69 грн |
| 25+ | 742.42 грн |
| 40+ | 693.03 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис AS4C512M16MD4V-053BIN Alliance Memory, Inc.
Description: ALLIANCE MEMORY - AS4C512M16MD4V-053BIN - DRAM, Mobile LPDDR4X, 8 GB, 512M x 16 Bit, 1.866 GHz, TFBGA, 200 Pin(s), tariffCode: 85423290, DRAM-Ausführung: Mobile LPDDR4X, rohsCompliant: YES, IC-Montage: Oberflächenmontage, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: TBA, IC-Gehäuse / Bauform: TFBGA, Speicherdichte: 8GB, usEccn: 3A991.b.1.a, Versorgungsspannung, nom.: 1.8V, Taktfrequenz, max.: 1.866GHz, Betriebstemperatur, min.: -40°C, euEccn: NLR, Anzahl der Pins: 200Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: No, Betriebstemperatur, max.: 85°C, Speicherkonfiguration: 512M x 16 Bit, SVHC: No SVHC (14-Jun-2023).
Інші пропозиції AS4C512M16MD4V-053BIN за ціною від 636.21 грн до 991.5 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
AS4C512M16MD4V-053BIN | Виробник : ALLIANCE MEMORY |
Description: ALLIANCE MEMORY - AS4C512M16MD4V-053BIN - DRAM, Mobile LPDDR4X, 8 GB, 512M x 16 Bit, 1.866 GHz, TFBGA, 200 Pin(s) tariffCode: 85423290 DRAM-Ausführung: Mobile LPDDR4X rohsCompliant: YES IC-Montage: Oberflächenmontage hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: TBA IC-Gehäuse / Bauform: TFBGA Speicherdichte: 8GB usEccn: 3A991.b.1.a Versorgungsspannung, nom.: 1.8V Taktfrequenz, max.: 1.866GHz Betriebstemperatur, min.: -40°C euEccn: NLR Anzahl der Pins: 200Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: No Betriebstemperatur, max.: 85°C Speicherkonfiguration: 512M x 16 Bit SVHC: No SVHC (14-Jun-2023) |
на замовлення 120 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
| AS4C512M16MD4V-053BIN | Виробник : Alliance Memory, Inc. |
AS4C512M16MD4V-053BIN |
на замовлення 120 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||
| AS4C512M16MD4V-053BIN | Виробник : Alliance Memory |
DRAM LPDDR4X, 8Gb, 512M x 16, 0.6V, 200-ball TFBGA, 1866MHZ, INDUSTRIAL TEMP - Tray |
товар відсутній |
||||||||||||||
| AS4C512M16MD4V-053BIN | Виробник : ALLIANCE MEMORY |
Category: DRAM memories - integrated circuits Description: IC: DRAM memory; 8GbSDRAM; 1866MHz; FBGA200; -40÷105°C Memory: 8Gb SDRAM Clock frequency: 1866MHz Kind of memory: LPDDR4; SDRAM Operating temperature: -40...105°C Type of integrated circuit: DRAM memory Case: FBGA200 Mounting: SMD |
товар відсутній |