APTM50HM75FT3G MICROCHIP (MICROSEMI)
Виробник: MICROCHIP (MICROSEMI)Category: Transistor modules MOSFET
Description: Module; transistor/transistor; 500V; 34A; SP3; Press-in PCB; 357W
Pulsed drain current: 184A
Power dissipation: 357W
Technology: FREDFET; POWER MOS 7®
Drain current: 34A
Drain-source voltage: 500V
Mechanical mounting: screw
Electrical mounting: Press-in PCB
Gate-source voltage: ±30V
Type of module: MOSFET transistor
Semiconductor structure: transistor/transistor
Case: SP3
On-state resistance: 90mΩ
Topology: H-bridge; NTC thermistor
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис APTM50HM75FT3G MICROCHIP (MICROSEMI)
Category: Transistor modules MOSFET, Description: Module; transistor/transistor; 500V; 34A; SP3; Press-in PCB; 357W, Pulsed drain current: 184A, Power dissipation: 357W, Technology: FREDFET; POWER MOS 7®, Drain current: 34A, Drain-source voltage: 500V, Mechanical mounting: screw, Electrical mounting: Press-in PCB, Gate-source voltage: ±30V, Type of module: MOSFET transistor, Semiconductor structure: transistor/transistor, Case: SP3, On-state resistance: 90mΩ, Topology: H-bridge; NTC thermistor, кількість в упаковці: 1 шт.
Інші пропозиції APTM50HM75FT3G
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ |
|---|---|---|---|---|---|
| APTM50HM75FT3G | Виробник : MICROSEMI |
SP3/MOSFET MODULE FULL BRIDGE APTM50 кількість в упаковці: 1 шт |
товар відсутній |
||
| APTM50HM75FT3G | Виробник : Microsemi Power Products Group |
Description: MOSFET 4N-CH 500V 46A SP3 |
товар відсутній |
||
| APTM50HM75FT3G | Виробник : Microchip / Microsemi |
Discrete Semiconductor Modules DOR CC3001 |
товар відсутній |
||
| APTM50HM75FT3G | Виробник : MICROCHIP (MICROSEMI) |
Category: Transistor modules MOSFET Description: Module; transistor/transistor; 500V; 34A; SP3; Press-in PCB; 357W Pulsed drain current: 184A Power dissipation: 357W Technology: FREDFET; POWER MOS 7® Drain current: 34A Drain-source voltage: 500V Mechanical mounting: screw Electrical mounting: Press-in PCB Gate-source voltage: ±30V Type of module: MOSFET transistor Semiconductor structure: transistor/transistor Case: SP3 On-state resistance: 90mΩ Topology: H-bridge; NTC thermistor |
товар відсутній |