APTM50DHM38G MICROCHIP (MICROSEMI)
Виробник: MICROCHIP (MICROSEMI)Category: Transistor modules MOSFET
Description: Module; diode/transistor; 500V; 67A; SP6C; Idm: 360A; 694W; Ugs: ±30V
Pulsed drain current: 360A
Power dissipation: 694W
Technology: POWER MOS 7®
Drain current: 67A
Drain-source voltage: 500V
Mechanical mounting: screw
Electrical mounting: FASTON connectors; screw
Gate-source voltage: ±30V
Type of module: MOSFET transistor
Semiconductor structure: diode/transistor
Case: SP6C
On-state resistance: 45mΩ
Topology: asymmetrical bridge
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис APTM50DHM38G MICROCHIP (MICROSEMI)
Category: Transistor modules MOSFET, Description: Module; diode/transistor; 500V; 67A; SP6C; Idm: 360A; 694W; Ugs: ±30V, Pulsed drain current: 360A, Power dissipation: 694W, Technology: POWER MOS 7®, Drain current: 67A, Drain-source voltage: 500V, Mechanical mounting: screw, Electrical mounting: FASTON connectors; screw, Gate-source voltage: ±30V, Type of module: MOSFET transistor, Semiconductor structure: diode/transistor, Case: SP6C, On-state resistance: 45mΩ, Topology: asymmetrical bridge, кількість в упаковці: 1 шт.
Інші пропозиції APTM50DHM38G
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ |
|---|---|---|---|---|---|
| APTM50DHM38G | Виробник : Microsemi Power Products Group |
Description: MOSFET 2N-CH 500V 90A SP6 |
товар відсутній |
||
| APTM50DHM38G | Виробник : Microsemi |
Discrete Semiconductor Modules Power Module - Mosfet |
товар відсутній |
||
| APTM50DHM38G | Виробник : MICROCHIP (MICROSEMI) |
Category: Transistor modules MOSFET Description: Module; diode/transistor; 500V; 67A; SP6C; Idm: 360A; 694W; Ugs: ±30V Pulsed drain current: 360A Power dissipation: 694W Technology: POWER MOS 7® Drain current: 67A Drain-source voltage: 500V Mechanical mounting: screw Electrical mounting: FASTON connectors; screw Gate-source voltage: ±30V Type of module: MOSFET transistor Semiconductor structure: diode/transistor Case: SP6C On-state resistance: 45mΩ Topology: asymmetrical bridge |
товар відсутній |