Технічний опис APTM20HM08FG Microchip Technology
Category: Transistor modules MOSFET, Description: Module; transistor/transistor; 200V; 155A; SP6C; Idm: 832A; 781W, Pulsed drain current: 832A, Power dissipation: 781W, Technology: FREDFET; POWER MOS 7®, Drain current: 155A, Drain-source voltage: 200V, Mechanical mounting: screw, Electrical mounting: FASTON connectors; screw, Gate-source voltage: ±30V, Type of module: MOSFET transistor, Semiconductor structure: transistor/transistor, Case: SP6C, On-state resistance: 10mΩ, Topology: H-bridge, кількість в упаковці: 1 шт.
Інші пропозиції APTM20HM08FG
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ |
---|---|---|---|---|---|
APTM20HM08FG | Виробник : MICROCHIP (MICROSEMI) |
![]() Description: Module; transistor/transistor; 200V; 155A; SP6C; Idm: 832A; 781W Pulsed drain current: 832A Power dissipation: 781W Technology: FREDFET; POWER MOS 7® Drain current: 155A Drain-source voltage: 200V Mechanical mounting: screw Electrical mounting: FASTON connectors; screw Gate-source voltage: ±30V Type of module: MOSFET transistor Semiconductor structure: transistor/transistor Case: SP6C On-state resistance: 10mΩ Topology: H-bridge кількість в упаковці: 1 шт |
товар відсутній |
||
APTM20HM08FG | Виробник : MICROSEMI |
![]() кількість в упаковці: 1 шт |
товар відсутній |
||
APTM20HM08FG | Виробник : Microsemi Power Products Group |
![]() |
товар відсутній |
||
APTM20HM08FG | Виробник : Microsemi |
![]() |
товар відсутній |
||
APTM20HM08FG | Виробник : MICROCHIP (MICROSEMI) |
![]() Description: Module; transistor/transistor; 200V; 155A; SP6C; Idm: 832A; 781W Pulsed drain current: 832A Power dissipation: 781W Technology: FREDFET; POWER MOS 7® Drain current: 155A Drain-source voltage: 200V Mechanical mounting: screw Electrical mounting: FASTON connectors; screw Gate-source voltage: ±30V Type of module: MOSFET transistor Semiconductor structure: transistor/transistor Case: SP6C On-state resistance: 10mΩ Topology: H-bridge |
товар відсутній |