APTM120UM70FAG

APTM120UM70FAG Microchip Technology


13608103-aptm120um70fag-rev1-pdf.pdf Виробник: Microchip Technology
Trans MOSFET N-CH 1.2KV 171A 5-Pin Case SP-6 Tube
товар відсутній

Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис APTM120UM70FAG Microchip Technology

Category: Transistor modules MOSFET, Description: Module; single transistor; 1.2kV; 126A; SP6C; Idm: 684A; 5kW; screw, Technology: FREDFET; POWER MOS 7®, Case: SP6C, Drain-source voltage: 1.2kV, Drain current: 126A, On-state resistance: 80mΩ, Power dissipation: 5kW, Electrical mounting: FASTON connectors; screw, Mechanical mounting: screw, Type of module: MOSFET transistor, Gate-source voltage: ±30V, Pulsed drain current: 684A, Semiconductor structure: single transistor, кількість в упаковці: 1 шт.

Інші пропозиції APTM120UM70FAG

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна без ПДВ
APTM120UM70FAG Виробник : MICROCHIP (MICROSEMI) index.php?option=com_docman&task=doc_download&gid=8103 Category: Transistor modules MOSFET
Description: Module; single transistor; 1.2kV; 126A; SP6C; Idm: 684A; 5kW; screw
Technology: FREDFET; POWER MOS 7®
Case: SP6C
Drain-source voltage: 1.2kV
Drain current: 126A
On-state resistance: 80mΩ
Power dissipation: 5kW
Electrical mounting: FASTON connectors; screw
Mechanical mounting: screw
Type of module: MOSFET transistor
Gate-source voltage: ±30V
Pulsed drain current: 684A
Semiconductor structure: single transistor
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
APTM120UM70FAG Виробник : Microchip Technology index.php?option=com_docman&task=doc_download&gid=8103 Description: MOSFET N-CH 1200V 171A SP6
товар відсутній
APTM120UM70FAG Виробник : Microchip Technology index.php?option=com_docman&task=doc_download&gid=8103 Discrete Semiconductor Modules PM-MOSFET-FREDFET-7-SP6C
товар відсутній
APTM120UM70FAG Виробник : MICROCHIP (MICROSEMI) index.php?option=com_docman&task=doc_download&gid=8103 Category: Transistor modules MOSFET
Description: Module; single transistor; 1.2kV; 126A; SP6C; Idm: 684A; 5kW; screw
Technology: FREDFET; POWER MOS 7®
Case: SP6C
Drain-source voltage: 1.2kV
Drain current: 126A
On-state resistance: 80mΩ
Power dissipation: 5kW
Electrical mounting: FASTON connectors; screw
Mechanical mounting: screw
Type of module: MOSFET transistor
Gate-source voltage: ±30V
Pulsed drain current: 684A
Semiconductor structure: single transistor
товар відсутній