Технічний опис APTM10TAM19FPG Microchip Technology
Category: Transistor modules MOSFET, Description: Module; transistor/transistor; 100V; 50A; SP6P; Press-in PCB; 208W, Technology: FREDFET; POWER MOS 5®, Semiconductor structure: transistor/transistor, Case: SP6P, Power dissipation: 208W, Drain-source voltage: 100V, Drain current: 50A, On-state resistance: 21mΩ, Electrical mounting: Press-in PCB, Mechanical mounting: screw, Type of module: MOSFET transistor, Gate-source voltage: ±30V, Topology: MOSFET x3 half-bridge, Pulsed drain current: 300A, кількість в упаковці: 1 шт.
Інші пропозиції APTM10TAM19FPG
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ |
---|---|---|---|---|---|
APTM10TAM19FPG | Виробник : MICROCHIP (MICROSEMI) |
![]() Description: Module; transistor/transistor; 100V; 50A; SP6P; Press-in PCB; 208W Technology: FREDFET; POWER MOS 5® Semiconductor structure: transistor/transistor Case: SP6P Power dissipation: 208W Drain-source voltage: 100V Drain current: 50A On-state resistance: 21mΩ Electrical mounting: Press-in PCB Mechanical mounting: screw Type of module: MOSFET transistor Gate-source voltage: ±30V Topology: MOSFET x3 half-bridge Pulsed drain current: 300A кількість в упаковці: 1 шт |
товар відсутній |
||
APTM10TAM19FPG | Виробник : MICROSEMI |
![]() кількість в упаковці: 1 шт |
товар відсутній |
||
![]() |
APTM10TAM19FPG | Виробник : Microsemi Corporation |
![]() |
товар відсутній |
|
APTM10TAM19FPG | Виробник : Microchip Technology |
![]() |
товар відсутній |
||
APTM10TAM19FPG | Виробник : MICROCHIP (MICROSEMI) |
![]() Description: Module; transistor/transistor; 100V; 50A; SP6P; Press-in PCB; 208W Technology: FREDFET; POWER MOS 5® Semiconductor structure: transistor/transistor Case: SP6P Power dissipation: 208W Drain-source voltage: 100V Drain current: 50A On-state resistance: 21mΩ Electrical mounting: Press-in PCB Mechanical mounting: screw Type of module: MOSFET transistor Gate-source voltage: ±30V Topology: MOSFET x3 half-bridge Pulsed drain current: 300A |
товар відсутній |