APTM10AM05FTG

APTM10AM05FTG Microchip Technology


11308041-aptm10am05ftg-rev1-pdf.pdf Виробник: Microchip Technology
Trans MOSFET N-CH 100V 278A 20-Pin Case SP-4 Tube
товар відсутній

Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис APTM10AM05FTG Microchip Technology

Category: Transistor modules MOSFET, Description: Module; transistor/transistor; 100V; 207A; SP4; Idm: 1100A; 780W, Type of module: MOSFET transistor, Mechanical mounting: screw, Pulsed drain current: 1100A, Semiconductor structure: transistor/transistor, Drain-source voltage: 100V, Drain current: 207A, On-state resistance: 5mΩ, Power dissipation: 780W, Electrical mounting: FASTON connectors; screw, Technology: FREDFET; POWER MOS 5®, Gate-source voltage: ±30V, Topology: MOSFET half-bridge; NTC thermistor, Case: SP4, кількість в упаковці: 1 шт.

Інші пропозиції APTM10AM05FTG

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна без ПДВ
APTM10AM05FTG Виробник : MICROCHIP (MICROSEMI) index.php?option=com_docman&task=doc_download&gid=8041 Category: Transistor modules MOSFET
Description: Module; transistor/transistor; 100V; 207A; SP4; Idm: 1100A; 780W
Type of module: MOSFET transistor
Mechanical mounting: screw
Pulsed drain current: 1100A
Semiconductor structure: transistor/transistor
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 207A
On-state resistance: 5mΩ
Power dissipation: 780W
Electrical mounting: FASTON connectors; screw
Technology: FREDFET; POWER MOS 5®
Gate-source voltage: ±30V
Topology: MOSFET half-bridge; NTC thermistor
Case: SP4
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
APTM10AM05FTG Виробник : Microsemi Corporation index.php?option=com_docman&task=doc_download&gid=8041 Description: MOSFET 2N-CH 100V 278A SP4
товар відсутній
APTM10AM05FTG Виробник : Microchip / Microsemi index.php?option=com_docman&task=doc_download&gid=8041 Discrete Semiconductor Modules DOR CC4117
товар відсутній
APTM10AM05FTG Виробник : MICROCHIP (MICROSEMI) index.php?option=com_docman&task=doc_download&gid=8041 Category: Transistor modules MOSFET
Description: Module; transistor/transistor; 100V; 207A; SP4; Idm: 1100A; 780W
Type of module: MOSFET transistor
Mechanical mounting: screw
Pulsed drain current: 1100A
Semiconductor structure: transistor/transistor
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 207A
On-state resistance: 5mΩ
Power dissipation: 780W
Electrical mounting: FASTON connectors; screw
Technology: FREDFET; POWER MOS 5®
Gate-source voltage: ±30V
Topology: MOSFET half-bridge; NTC thermistor
Case: SP4
товар відсутній