APTM100UM65SAG Microchip Technology
на замовлення 28 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис APTM100UM65SAG Microchip Technology
Category: Transistor modules MOSFET, Description: Module; diode/transistor; 1kV; 110A; SP6C; Idm: 580A; 3.25kW; screw, Type of module: MOSFET transistor, Mechanical mounting: screw, Pulsed drain current: 580A, Semiconductor structure: diode/transistor, Drain-source voltage: 1kV, Drain current: 110A, On-state resistance: 78mΩ, Power dissipation: 3.25kW, Electrical mounting: FASTON connectors; screw, Technology: POWER MOS 7®, Gate-source voltage: ±30V, Topology: single transistor + series diode - parrallel diode, Case: SP6C, кількість в упаковці: 1 шт.
Інші пропозиції APTM100UM65SAG за ціною від 20914.49 грн до 29527.63 грн
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
APTM100UM65SAG | Виробник : Microchip Technology | Discrete Semiconductor Modules PM-MOSFET-7-SP6C |
на замовлення 68 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
|||||||
APTM100UM65SAG | Виробник : Microchip Technology / Atmel | Discrete Semiconductor Modules CC6021 |
на замовлення 63 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
|||||||
APTM100UM65SAG | Виробник : Microchip Technology | Trans MOSFET N-CH 1KV 145A 4-Pin Case SP-6 Tube |
товар відсутній |
||||||||
APTM100UM65SAG | Виробник : MICROCHIP (MICROSEMI) |
Category: Transistor modules MOSFET Description: Module; diode/transistor; 1kV; 110A; SP6C; Idm: 580A; 3.25kW; screw Type of module: MOSFET transistor Mechanical mounting: screw Pulsed drain current: 580A Semiconductor structure: diode/transistor Drain-source voltage: 1kV Drain current: 110A On-state resistance: 78mΩ Power dissipation: 3.25kW Electrical mounting: FASTON connectors; screw Technology: POWER MOS 7® Gate-source voltage: ±30V Topology: single transistor + series diode - parrallel diode Case: SP6C кількість в упаковці: 1 шт |
товар відсутній |
||||||||
APTM100UM65SAG | Виробник : MICROCHIP (MICROSEMI) |
Category: Transistor modules MOSFET Description: Module; diode/transistor; 1kV; 110A; SP6C; Idm: 580A; 3.25kW; screw Type of module: MOSFET transistor Mechanical mounting: screw Pulsed drain current: 580A Semiconductor structure: diode/transistor Drain-source voltage: 1kV Drain current: 110A On-state resistance: 78mΩ Power dissipation: 3.25kW Electrical mounting: FASTON connectors; screw Technology: POWER MOS 7® Gate-source voltage: ±30V Topology: single transistor + series diode - parrallel diode Case: SP6C |
товар відсутній |