APTM100A13SCG Microchip Technology
на замовлення 25 шт:
термін постачання 315-324 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 1+ | 27363.74 грн |
| 100+ | 20037.82 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис APTM100A13SCG Microchip Technology
Category: Transistor modules MOSFET, Description: Module; SiC diode/transistor; 1kV; 49A; SP6C; Idm: 240A; 1.25kW, Type of module: MOSFET transistor, Mechanical mounting: screw, Pulsed drain current: 240A, Semiconductor structure: SiC diode/transistor, Drain-source voltage: 1kV, Drain current: 49A, On-state resistance: 156mΩ, Power dissipation: 1.25kW, Electrical mounting: FASTON connectors; screw, Technology: POWER MOS 7®; SiC, Gate-source voltage: ±30V, Topology: MOSFET half-bridge + serial diodes + parrallel diodes, Case: SP6C, кількість в упаковці: 1 шт.
Інші пропозиції APTM100A13SCG
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ |
|---|---|---|---|---|---|
 |
APTM100A13SCG | Виробник : Microchip Technology |
 Trans MOSFET N-CH 1KV 65A 7-Pin Case SP-6 Tube |
товару немає в наявності |
|
| APTM100A13SCG | Виробник : MICROCHIP (MICROSEMI) |
Category: Transistor modules MOSFET Description: Module; SiC diode/transistor; 1kV; 49A; SP6C; Idm: 240A; 1.25kW Type of module: MOSFET transistor Mechanical mounting: screw Pulsed drain current: 240A Semiconductor structure: SiC diode/transistor Drain-source voltage: 1kV Drain current: 49A On-state resistance: 156mΩ Power dissipation: 1.25kW Electrical mounting: FASTON connectors; screw Technology: POWER MOS 7®; SiC Gate-source voltage: ±30V Topology: MOSFET half-bridge + serial diodes + parrallel diodes Case: SP6C кількість в упаковці: 1 шт |
товару немає в наявності |
||
| APTM100A13SCG | Виробник : MICROSEMI |
SP6/POWER MODULE - SIC APTM100A13S кількість в упаковці: 1 шт |
товару немає в наявності |
||
 |
APTM100A13SCG | Виробник : Microchip Technology |
Description: MOSFET 2N-CH 1000V 65A SP6 Packaging: Bulk Package / Case: SP6 Mounting Type: Chassis Mount Configuration: 2 N-Channel (Half Bridge) Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Power - Max: 1250W Drain to Source Voltage (Vdss): 1000V (1kV) Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 65A Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 15200pF @ 25V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 156mOhm @ 32.5A, 10V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 562nC @ 10V Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 6mA Supplier Device Package: SP6 |
товару немає в наявності |
|
| APTM100A13SCG | Виробник : Microchip / Microsemi | Discrete Semiconductor Modules CC6025 |
товару немає в наявності |
||
| APTM100A13SCG | Виробник : MICROCHIP (MICROSEMI) |
Category: Transistor modules MOSFET Description: Module; SiC diode/transistor; 1kV; 49A; SP6C; Idm: 240A; 1.25kW Type of module: MOSFET transistor Mechanical mounting: screw Pulsed drain current: 240A Semiconductor structure: SiC diode/transistor Drain-source voltage: 1kV Drain current: 49A On-state resistance: 156mΩ Power dissipation: 1.25kW Electrical mounting: FASTON connectors; screw Technology: POWER MOS 7®; SiC Gate-source voltage: ±30V Topology: MOSFET half-bridge + serial diodes + parrallel diodes Case: SP6C |
товару немає в наявності |