на замовлення 42 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
1+ | 3606.2 грн |
250+ | 3080.13 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис APTGT75DA60T1G Microchip Technology
Description: IGBT MODULE 600V 100A 250W SP1, Packaging: Bulk, Package / Case: SP1, Mounting Type: Chassis Mount, Input: Standard, Configuration: Single, Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ), Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.9V @ 15V, 75A, NTC Thermistor: Yes, Supplier Device Package: SP1, IGBT Type: Trench Field Stop, Part Status: Active, Current - Collector (Ic) (Max): 100 A, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V, Power - Max: 250 W, Current - Collector Cutoff (Max): 250 µA, Input Capacitance (Cies) @ Vce: 4.62 nF @ 25 V.
Інші пропозиції APTGT75DA60T1G
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ |
---|---|---|---|---|---|
APTGT75DA60T1G | Виробник : Microchip / Microsemi |
![]() |
на замовлення 46 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
||
![]() |
APTGT75DA60T1G | Виробник : Microchip Technology |
![]() |
товар відсутній |
|
APTGT75DA60T1G | Виробник : MICROCHIP (MICROSEMI) |
![]() Description: Module: IGBT; diode/transistor; boost chopper,NTC thermistor Max. off-state voltage: 0.6kV Electrical mounting: Press-in PCB Case: SP1 Mechanical mounting: screw Semiconductor structure: diode/transistor Collector current: 75A Type of module: IGBT Technology: Field Stop; Trench Topology: boost chopper; NTC thermistor Application: motors Pulsed collector current: 140A Gate-emitter voltage: ±20V кількість в упаковці: 23 шт |
товар відсутній |
||
APTGT75DA60T1G | Виробник : MICROSEMI |
![]() кількість в упаковці: 1 шт |
товар відсутній |
||
|
APTGT75DA60T1G | Виробник : Microchip Technology |
![]() Packaging: Bulk Package / Case: SP1 Mounting Type: Chassis Mount Input: Standard Configuration: Single Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ) Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.9V @ 15V, 75A NTC Thermistor: Yes Supplier Device Package: SP1 IGBT Type: Trench Field Stop Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 100 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V Power - Max: 250 W Current - Collector Cutoff (Max): 250 µA Input Capacitance (Cies) @ Vce: 4.62 nF @ 25 V |
товар відсутній |
|
APTGT75DA60T1G | Виробник : MICROCHIP (MICROSEMI) |
![]() Description: Module: IGBT; diode/transistor; boost chopper,NTC thermistor Max. off-state voltage: 0.6kV Electrical mounting: Press-in PCB Case: SP1 Mechanical mounting: screw Semiconductor structure: diode/transistor Collector current: 75A Type of module: IGBT Technology: Field Stop; Trench Topology: boost chopper; NTC thermistor Application: motors Pulsed collector current: 140A Gate-emitter voltage: ±20V |
товар відсутній |