APTGT600A60G Microchip Technology
![7924-aptgt600a60g-datasheet](/images/adobe-acrobat.png)
Description: IGBT MODULE 600V 700A 2300W SP6
Packaging: Bulk
Package / Case: SP6
Mounting Type: Chassis Mount
Input: Standard
Configuration: Half Bridge
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.8V @ 15V, 600A
NTC Thermistor: No
Supplier Device Package: SP6
IGBT Type: Trench Field Stop
Current - Collector (Ic) (Max): 700 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Power - Max: 2300 W
Current - Collector Cutoff (Max): 750 µA
Input Capacitance (Cies) @ Vce: 49 nF @ 25 V
на замовлення 31 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
1+ | 24633.79 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис APTGT600A60G Microchip Technology
Description: IGBT MODULE 600V 700A 2300W SP6, Packaging: Bulk, Package / Case: SP6, Mounting Type: Chassis Mount, Input: Standard, Configuration: Half Bridge, Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ), Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.8V @ 15V, 600A, NTC Thermistor: No, Supplier Device Package: SP6, IGBT Type: Trench Field Stop, Current - Collector (Ic) (Max): 700 A, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V, Power - Max: 2300 W, Current - Collector Cutoff (Max): 750 µA, Input Capacitance (Cies) @ Vce: 49 nF @ 25 V.
Інші пропозиції APTGT600A60G
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ |
---|---|---|---|---|---|
APTGT600A60G | Виробник : MICROSEMI |
![]() кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 3 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
||
APTGT600A60G | Виробник : MICROCHIP (MICROSEMI) |
![]() Description: Module: IGBT; transistor/transistor; IGBT half-bridge; Ic: 600A Type of module: IGBT Semiconductor structure: transistor/transistor Topology: IGBT half-bridge Max. off-state voltage: 0.6kV Collector current: 600A Case: SP6 Electrical mounting: FASTON connectors; screw Gate-emitter voltage: ±20V Pulsed collector current: 800A Power dissipation: 2.3kW Technology: Field Stop Mechanical mounting: screw кількість в упаковці: 1 шт |
товар відсутній |
||
![]() |
APTGT600A60G | Виробник : Microchip Technology |
![]() |
товар відсутній |
|
![]() |
APTGT600A60G | Виробник : Microchip Technology |
![]() |
товар відсутній |
|
APTGT600A60G | Виробник : Microchip Technology |
![]() |
товар відсутній |
||
APTGT600A60G | Виробник : MICROCHIP (MICROSEMI) |
![]() Description: Module: IGBT; transistor/transistor; IGBT half-bridge; Ic: 600A Type of module: IGBT Semiconductor structure: transistor/transistor Topology: IGBT half-bridge Max. off-state voltage: 0.6kV Collector current: 600A Case: SP6 Electrical mounting: FASTON connectors; screw Gate-emitter voltage: ±20V Pulsed collector current: 800A Power dissipation: 2.3kW Technology: Field Stop Mechanical mounting: screw |
товар відсутній |