Технічний опис APTGT200DH120G Microchip Technology
Category: IGBT modules, Description: Module: IGBT; diode/transistor; asymmetrical bridge; Urmax: 1.2kV, Type of module: IGBT, Semiconductor structure: diode/transistor, Topology: asymmetrical bridge, Max. off-state voltage: 1.2kV, Collector current: 200A, Case: SP6C, Electrical mounting: FASTON connectors; screw, Gate-emitter voltage: ±20V, Pulsed collector current: 400A, Technology: Field Stop; Trench, Mechanical mounting: screw, кількість в упаковці: 5 шт.
Інші пропозиції APTGT200DH120G
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ |
|---|---|---|---|---|---|
| APTGT200DH120G | Виробник : MICROCHIP (MICROSEMI) |
 Category: IGBT modulesDescription: Module: IGBT; diode/transistor; asymmetrical bridge; Urmax: 1.2kV Type of module: IGBT Semiconductor structure: diode/transistor Topology: asymmetrical bridge Max. off-state voltage: 1.2kV Collector current: 200A Case: SP6C Electrical mounting: FASTON connectors; screw Gate-emitter voltage: ±20V Pulsed collector current: 400A Technology: Field Stop; Trench Mechanical mounting: screw кількість в упаковці: 5 шт |
товару немає в наявності |
||
| APTGT200DH120G | Виробник : Microchip Technology |
Description: IGBT MODULE 1200V 280A 890W SP6 |
товару немає в наявності |
||
| APTGT200DH120G | Виробник : Microchip Technology |
IGBT Modules PM-IGBT-TFS-SP6C |
товару немає в наявності |
||
| APTGT200DH120G | Виробник : MICROCHIP (MICROSEMI) |
Category: IGBT modules Description: Module: IGBT; diode/transistor; asymmetrical bridge; Urmax: 1.2kV Type of module: IGBT Semiconductor structure: diode/transistor Topology: asymmetrical bridge Max. off-state voltage: 1.2kV Collector current: 200A Case: SP6C Electrical mounting: FASTON connectors; screw Gate-emitter voltage: ±20V Pulsed collector current: 400A Technology: Field Stop; Trench Mechanical mounting: screw |
товару немає в наявності |