APTGT200A120G Microchip Technology
Виробник: Microchip TechnologyDescription: IGBT MODULE 1200V 280A 890W SP6
Packaging: Bulk
Package / Case: SP6
Mounting Type: Chassis Mount
Input: Standard
Configuration: Half Bridge
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 200A
NTC Thermistor: No
Supplier Device Package: SP6
IGBT Type: Trench Field Stop
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 280 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V
Power - Max: 890 W
Current - Collector Cutoff (Max): 350 µA
Input Capacitance (Cies) @ Vce: 14 nF @ 25 V
на замовлення 725 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 1+ | 17049.52 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис APTGT200A120G Microchip Technology
Description: IGBT MODULE 1200V 280A 890W SP6, Packaging: Bulk, Package / Case: SP6, Mounting Type: Chassis Mount, Input: Standard, Configuration: Half Bridge, Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ), Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 200A, NTC Thermistor: No, Supplier Device Package: SP6, IGBT Type: Trench Field Stop, Part Status: Active, Current - Collector (Ic) (Max): 280 A, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V, Power - Max: 890 W, Current - Collector Cutoff (Max): 350 µA, Input Capacitance (Cies) @ Vce: 14 nF @ 25 V.
Інші пропозиції APTGT200A120G за ціною від 12762.08 грн до 19039.03 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| APTGT200A120G | Виробник : Microchip Technology |
IGBT Modules PM-IGBT-TFS-SP6C |
на замовлення 5 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
 |
APTGT200A120G | Виробник : Microchip Technology |
Trans IGBT Module N-CH 1200V 280A 890W 7-Pin Case SP-6 Tube |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||
| APTGT200A120G | Виробник : MICROCHIP (MICROSEMI) |
Category: IGBT modules Description: Module: IGBT; transistor/transistor; IGBT half-bridge; Ic: 200A Type of module: IGBT Semiconductor structure: transistor/transistor Topology: IGBT half-bridge Max. off-state voltage: 1.2kV Collector current: 200A Case: SP6C Application: motors Electrical mounting: FASTON connectors; screw Gate-emitter voltage: ±20V Pulsed collector current: 400A Technology: Field Stop; Trench Mechanical mounting: screw кількість в упаковці: 5 шт |
товару немає в наявності |
||||||||||||||||
| APTGT200A120G | Виробник : MICROCHIP (MICROSEMI) |
Category: IGBT modules Description: Module: IGBT; transistor/transistor; IGBT half-bridge; Ic: 200A Type of module: IGBT Semiconductor structure: transistor/transistor Topology: IGBT half-bridge Max. off-state voltage: 1.2kV Collector current: 200A Case: SP6C Application: motors Electrical mounting: FASTON connectors; screw Gate-emitter voltage: ±20V Pulsed collector current: 400A Technology: Field Stop; Trench Mechanical mounting: screw |
товару немає в наявності |