APTGT150TA60PG

APTGT150TA60PG Microchip Technology


11677751-aptgt150ta60pg-rev1-pdf.pdf Виробник: Microchip Technology
Trans IGBT Module N-CH 600V 225A 480000mW 21-Pin Case SP-6P Tube
товар відсутній

Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис APTGT150TA60PG Microchip Technology

Category: IGBT modules, Description: Module: IGBT; transistor/transistor; IGBT half-bridge x3; SP6P, Mechanical mounting: screw, Electrical mounting: Press-in PCB, Application: motors, Case: SP6P, Type of module: IGBT, Technology: Field Stop; Trench, Topology: IGBT half-bridge x3, Max. off-state voltage: 0.6kV, Semiconductor structure: transistor/transistor, Gate-emitter voltage: ±20V, Collector current: 150A, Pulsed collector current: 350A, кількість в упаковці: 5 шт.

Інші пропозиції APTGT150TA60PG

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна без ПДВ
APTGT150TA60PG Виробник : MICROCHIP (MICROSEMI) index.php?option=com_docman&task=doc_download&gid=7751 Category: IGBT modules
Description: Module: IGBT; transistor/transistor; IGBT half-bridge x3; SP6P
Mechanical mounting: screw
Electrical mounting: Press-in PCB
Application: motors
Case: SP6P
Type of module: IGBT
Technology: Field Stop; Trench
Topology: IGBT half-bridge x3
Max. off-state voltage: 0.6kV
Semiconductor structure: transistor/transistor
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 150A
Pulsed collector current: 350A
кількість в упаковці: 5 шт
товар відсутній
APTGT150TA60PG Виробник : Microsemi Power Products Group index.php?option=com_docman&task=doc_download&gid=7751 Description: IGBT MODULE TRPL PHASE LEG SP6P
товар відсутній
APTGT150TA60PG Виробник : Microchip Technology index.php?option=com_docman&task=doc_download&gid=7751 IGBT Modules DOR CC6507
товар відсутній
APTGT150TA60PG Виробник : MICROCHIP (MICROSEMI) index.php?option=com_docman&task=doc_download&gid=7751 Category: IGBT modules
Description: Module: IGBT; transistor/transistor; IGBT half-bridge x3; SP6P
Mechanical mounting: screw
Electrical mounting: Press-in PCB
Application: motors
Case: SP6P
Type of module: IGBT
Technology: Field Stop; Trench
Topology: IGBT half-bridge x3
Max. off-state voltage: 0.6kV
Semiconductor structure: transistor/transistor
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 150A
Pulsed collector current: 350A
товар відсутній