APTGT150SK60T1G MICROCHIP (MICROSEMI)


index.php?option=com_docman&task=doc_download&gid=7748 Виробник: MICROCHIP (MICROSEMI)
Category: IGBT modules
Description: Module: IGBT; diode/transistor; buck chopper,NTC thermistor
Mechanical mounting: screw
Electrical mounting: Press-in PCB
Application: motors
Case: SP1
Type of module: IGBT
Technology: Field Stop; Trench
Topology: buck chopper; NTC thermistor
Max. off-state voltage: 0.6kV
Semiconductor structure: diode/transistor
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 150A
Pulsed collector current: 350A
кількість в упаковці: 19 шт
товар відсутній

Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис APTGT150SK60T1G MICROCHIP (MICROSEMI)

Category: IGBT modules, Description: Module: IGBT; diode/transistor; buck chopper,NTC thermistor, Mechanical mounting: screw, Electrical mounting: Press-in PCB, Application: motors, Case: SP1, Type of module: IGBT, Technology: Field Stop; Trench, Topology: buck chopper; NTC thermistor, Max. off-state voltage: 0.6kV, Semiconductor structure: diode/transistor, Gate-emitter voltage: ±20V, Collector current: 150A, Pulsed collector current: 350A, кількість в упаковці: 19 шт.

Інші пропозиції APTGT150SK60T1G

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна без ПДВ
APTGT150SK60T1G Виробник : Microsemi Power Products Group index.php?option=com_docman&task=doc_download&gid=7748 Description: IGBT 600V 225A 480W SP1
товар відсутній
APTGT150SK60T1G Виробник : Microsemi APTGT150SK60T1G-Rev1-603786.pdf IGBT Modules Power Module - IGBT
товар відсутній
APTGT150SK60T1G Виробник : Microchip Technology APTGT150SK60T1G_Rev1-3106987.pdf IGBT Modules DOR CC8089
товар відсутній
APTGT150SK60T1G Виробник : MICROCHIP (MICROSEMI) index.php?option=com_docman&task=doc_download&gid=7748 Category: IGBT modules
Description: Module: IGBT; diode/transistor; buck chopper,NTC thermistor
Mechanical mounting: screw
Electrical mounting: Press-in PCB
Application: motors
Case: SP1
Type of module: IGBT
Technology: Field Stop; Trench
Topology: buck chopper; NTC thermistor
Max. off-state voltage: 0.6kV
Semiconductor structure: diode/transistor
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 150A
Pulsed collector current: 350A
товар відсутній