Технічний опис APTGT150DH60TG Microchip Technology
Category: IGBT modules, Description: Module: IGBT; diode/transistor; asymmetrical bridge; Urmax: 600V, Case: SP4, Pulsed collector current: 350A, Collector current: 150A, Gate-emitter voltage: ±20V, Semiconductor structure: diode/transistor, Max. off-state voltage: 0.6kV, Electrical mounting: FASTON connectors; soldering, Mechanical mounting: screw, Type of module: IGBT, Technology: Field Stop; Trench, Topology: asymmetrical bridge; NTC thermistor, кількість в упаковці: 1 шт.
Інші пропозиції APTGT150DH60TG
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ |
|---|---|---|---|---|---|
| APTGT150DH60TG | Виробник : MICROCHIP (MICROSEMI) |
 Category: IGBT modulesDescription: Module: IGBT; diode/transistor; asymmetrical bridge; Urmax: 600V Case: SP4 Pulsed collector current: 350A Collector current: 150A Gate-emitter voltage: ±20V Semiconductor structure: diode/transistor Max. off-state voltage: 0.6kV Electrical mounting: FASTON connectors; soldering Mechanical mounting: screw Type of module: IGBT Technology: Field Stop; Trench Topology: asymmetrical bridge; NTC thermistor кількість в упаковці: 1 шт |
товар відсутній |
||
| APTGT150DH60TG | Виробник : Microchip Technology |
Description: IGBT MODULE 600V 225A 480W SP4 |
товар відсутній |
||
| APTGT150DH60TG | Виробник : Microchip / Microsemi |
IGBT Modules DOR CC4108 |
товар відсутній |
||
| APTGT150DH60TG | Виробник : MICROCHIP (MICROSEMI) |
Category: IGBT modules Description: Module: IGBT; diode/transistor; asymmetrical bridge; Urmax: 600V Case: SP4 Pulsed collector current: 350A Collector current: 150A Gate-emitter voltage: ±20V Semiconductor structure: diode/transistor Max. off-state voltage: 0.6kV Electrical mounting: FASTON connectors; soldering Mechanical mounting: screw Type of module: IGBT Technology: Field Stop; Trench Topology: asymmetrical bridge; NTC thermistor |
товар відсутній |