Продукція > MICROCHIP (MICROSEMI) > APTGT100H120G

APTGT100H120G MICROCHIP (MICROSEMI)

Виробник: MICROCHIP (MICROSEMI)
Category: IGBT modules
Description: Module: IGBT; transistor/transistor; H-bridge; Urmax: 1.2kV; SP6C
Application: motors
Pulsed collector current: 200A
Semiconductor structure: transistor/transistor
Max. off-state voltage: 1.2kV
Electrical mounting: FASTON connectors; screw
Mechanical mounting: screw
Case: SP6C
Type of module: IGBT
Technology: Field Stop; Trench
Gate-emitter voltage: ±20V
Topology: H-bridge
Collector current: 100A
кількість в упаковці: 5 шт

товар відсутній

Відгуки про товар

Написати відгук

Технічний опис APTGT100H120G MICROCHIP (MICROSEMI)

Category: IGBT modules, Description: Module: IGBT; transistor/transistor; H-bridge; Urmax: 1.2kV; SP6C, Application: motors, Pulsed collector current: 200A, Semiconductor structure: transistor/transistor, Max. off-state voltage: 1.2kV, Electrical mounting: FASTON connectors; screw, Mechanical mounting: screw, Case: SP6C, Type of module: IGBT, Technology: Field Stop; Trench, Gate-emitter voltage: ±20V, Topology: H-bridge, Collector current: 100A, кількість в упаковці: 5 шт.

Інші пропозиції APTGT100H120G

Назва	Виробник	Інформація	Доступність
APTGT100H120G	Виробник : Microchip Technology	Description: IGBT MODULE 1200V 140A 480W SP6	товар відсутній
APTGT100H120G	Виробник : Microchip / Microsemi	IGBT Modules DOR CC6073	товар відсутній
APTGT100H120G	Виробник : Microchip Technology	IGBT Modules PM-IGBT-TFS-SP6C	товар відсутній
APTGT100H120G	Виробник : MICROCHIP (MICROSEMI)	Category: IGBT modules Description: Module: IGBT; transistor/transistor; H-bridge; Urmax: 1.2kV; SP6C Application: motors Pulsed collector current: 200A Semiconductor structure: transistor/transistor Max. off-state voltage: 1.2kV Electrical mounting: FASTON connectors; screw Mechanical mounting: screw Case: SP6C Type of module: IGBT Technology: Field Stop; Trench Gate-emitter voltage: ±20V Topology: H-bridge Collector current: 100A	товар відсутній