APTC60VDAM24T3G Microchip Technology


1857361-aptc60vdam24t3g-rev1-pdf.pdf Виробник: Microchip Technology
Trans MOSFET N-CH 600V 95A 20-Pin Case SP-3 Tube
товар відсутній

Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис APTC60VDAM24T3G Microchip Technology

Category: Transistor modules MOSFET, Description: Module; diode/transistor; 600V; 70A; SP3F; Press-in PCB; Idm: 260A, Technology: SJ-MOSFET, Drain-source voltage: 600V, Drain current: 70A, Pulsed drain current: 260A, Power dissipation: 462W, Case: SP3F, Gate-source voltage: ±20V, On-state resistance: 24mΩ, Semiconductor structure: diode/transistor, Electrical mounting: Press-in PCB, Topology: boost chopper x2; NTC thermistor, Mechanical mounting: screw, Type of module: MOSFET transistor, кількість в упаковці: 1 шт.

Інші пропозиції APTC60VDAM24T3G

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна без ПДВ
APTC60VDAM24T3G Виробник : MICROCHIP (MICROSEMI) 7361-aptc60vdam24t3g-rev1-pdf Category: Transistor modules MOSFET
Description: Module; diode/transistor; 600V; 70A; SP3F; Press-in PCB; Idm: 260A
Technology: SJ-MOSFET
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 70A
Pulsed drain current: 260A
Power dissipation: 462W
Case: SP3F
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 24mΩ
Semiconductor structure: diode/transistor
Electrical mounting: Press-in PCB
Topology: boost chopper x2; NTC thermistor
Mechanical mounting: screw
Type of module: MOSFET transistor
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
APTC60VDAM24T3G Виробник : MICROSEMI 7361-aptc60vdam24t3g-rev1-pdf SP3/95 A, 600 V, 0.024 ohm, 2 CHANNEL, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET APTC60VDAM24
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
APTC60VDAM24T3G Виробник : Microsemi Power Products Group 7361-aptc60vdam24t3g-rev1-pdf Description: MOSFET 2N-CH 600V 95A SP3
товар відсутній
APTC60VDAM24T3G Виробник : Microsemi APTC60VDAM24T3G-Rev1-601771.pdf Discrete Semiconductor Modules Power Module - Coolmos
товар відсутній
APTC60VDAM24T3G Виробник : MICROCHIP (MICROSEMI) 7361-aptc60vdam24t3g-rev1-pdf Category: Transistor modules MOSFET
Description: Module; diode/transistor; 600V; 70A; SP3F; Press-in PCB; Idm: 260A
Technology: SJ-MOSFET
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 70A
Pulsed drain current: 260A
Power dissipation: 462W
Case: SP3F
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 24mΩ
Semiconductor structure: diode/transistor
Electrical mounting: Press-in PCB
Topology: boost chopper x2; NTC thermistor
Mechanical mounting: screw
Type of module: MOSFET transistor
товар відсутній