Технічний опис APTC60VDAM24T3G Microchip Technology
Category: Transistor modules MOSFET, Description: Module; diode/transistor; 600V; 70A; SP3F; Press-in PCB; Idm: 260A, Technology: SJ-MOSFET, Drain-source voltage: 600V, Drain current: 70A, Pulsed drain current: 260A, Power dissipation: 462W, Case: SP3F, Gate-source voltage: ±20V, On-state resistance: 24mΩ, Semiconductor structure: diode/transistor, Electrical mounting: Press-in PCB, Topology: boost chopper x2; NTC thermistor, Mechanical mounting: screw, Type of module: MOSFET transistor, кількість в упаковці: 1 шт.
Інші пропозиції APTC60VDAM24T3G
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ |
---|---|---|---|---|---|
APTC60VDAM24T3G | Виробник : MICROCHIP (MICROSEMI) |
![]() Description: Module; diode/transistor; 600V; 70A; SP3F; Press-in PCB; Idm: 260A Technology: SJ-MOSFET Drain-source voltage: 600V Drain current: 70A Pulsed drain current: 260A Power dissipation: 462W Case: SP3F Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 24mΩ Semiconductor structure: diode/transistor Electrical mounting: Press-in PCB Topology: boost chopper x2; NTC thermistor Mechanical mounting: screw Type of module: MOSFET transistor кількість в упаковці: 1 шт |
товар відсутній |
||
APTC60VDAM24T3G | Виробник : MICROSEMI |
![]() кількість в упаковці: 1 шт |
товар відсутній |
||
APTC60VDAM24T3G | Виробник : Microsemi Power Products Group |
![]() |
товар відсутній |
||
APTC60VDAM24T3G | Виробник : Microsemi |
![]() |
товар відсутній |
||
APTC60VDAM24T3G | Виробник : MICROCHIP (MICROSEMI) |
![]() Description: Module; diode/transistor; 600V; 70A; SP3F; Press-in PCB; Idm: 260A Technology: SJ-MOSFET Drain-source voltage: 600V Drain current: 70A Pulsed drain current: 260A Power dissipation: 462W Case: SP3F Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 24mΩ Semiconductor structure: diode/transistor Electrical mounting: Press-in PCB Topology: boost chopper x2; NTC thermistor Mechanical mounting: screw Type of module: MOSFET transistor |
товар відсутній |