APTC60HM45SCTG Microchip Technology


9607349-aptc60hm45sctg-rev3-pdf.pdf Виробник: Microchip Technology
Trans MOSFET N-CH 600V 49A 14-Pin Case SP-4 Tube
товар відсутній

Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис APTC60HM45SCTG Microchip Technology

Category: Transistor modules MOSFET, Description: Module; SiC diode/transistor; 600V; 38A; SP4; Idm: 130A; 250W; screw, Type of module: MOSFET transistor, Case: SP4, Semiconductor structure: SiC diode/transistor, Drain-source voltage: 600V, Drain current: 38A, On-state resistance: 45mΩ, Power dissipation: 250W, Electrical mounting: FASTON connectors; screw, Mechanical mounting: screw, Technology: CoolMOS™; SiC; SJ-MOSFET, Gate-source voltage: ±20V, Topology: H-bridge; NTC thermistor, Pulsed drain current: 130A, кількість в упаковці: 1 шт.

Інші пропозиції APTC60HM45SCTG

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна без ПДВ
APTC60HM45SCTG Виробник : MICROCHIP (MICROSEMI) index.php?option=com_docman&task=doc_download&gid=7349 Category: Transistor modules MOSFET
Description: Module; SiC diode/transistor; 600V; 38A; SP4; Idm: 130A; 250W; screw
Type of module: MOSFET transistor
Case: SP4
Semiconductor structure: SiC diode/transistor
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 38A
On-state resistance: 45mΩ
Power dissipation: 250W
Electrical mounting: FASTON connectors; screw
Mechanical mounting: screw
Technology: CoolMOS™; SiC; SJ-MOSFET
Gate-source voltage: ±20V
Topology: H-bridge; NTC thermistor
Pulsed drain current: 130A
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
APTC60HM45SCTG Виробник : Microsemi Power Products Group index.php?option=com_docman&task=doc_download&gid=7349 Description: MOSFET 4N-CH 600V 49A SP4
товар відсутній
APTC60HM45SCTG APTC60HM45SCTG Виробник : Microchip Technology mppgs02420_1-2275330.pdf Discrete Semiconductor Modules DOR CC4133
товар відсутній
APTC60HM45SCTG Виробник : MICROCHIP (MICROSEMI) index.php?option=com_docman&task=doc_download&gid=7349 Category: Transistor modules MOSFET
Description: Module; SiC diode/transistor; 600V; 38A; SP4; Idm: 130A; 250W; screw
Type of module: MOSFET transistor
Case: SP4
Semiconductor structure: SiC diode/transistor
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 38A
On-state resistance: 45mΩ
Power dissipation: 250W
Electrical mounting: FASTON connectors; screw
Mechanical mounting: screw
Technology: CoolMOS™; SiC; SJ-MOSFET
Gate-source voltage: ±20V
Topology: H-bridge; NTC thermistor
Pulsed drain current: 130A
товар відсутній