APT9M100B MICROCHIP (MICROSEMI)
Виробник: MICROCHIP (MICROSEMI)
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 1kV; 6A; Idm: 37A; 335W; TO247-3
Mounting: THT
Case: TO247-3
Technology: POWER MOS 8®
Gate charge: 80nC
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±30V
Pulsed drain current: 37A
Drain-source voltage: 1kV
Drain current: 6A
On-state resistance: 1.4Ω
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 335W
Polarisation: unipolar
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 1kV; 6A; Idm: 37A; 335W; TO247-3
Mounting: THT
Case: TO247-3
Technology: POWER MOS 8®
Gate charge: 80nC
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±30V
Pulsed drain current: 37A
Drain-source voltage: 1kV
Drain current: 6A
On-state resistance: 1.4Ω
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 335W
Polarisation: unipolar
на замовлення 4 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
1+ | 484.86 грн |
3+ | 388.86 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис APT9M100B MICROCHIP (MICROSEMI)
Category: THT N channel transistors, Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 1kV; 6A; Idm: 37A; 335W; TO247-3, Mounting: THT, Case: TO247-3, Technology: POWER MOS 8®, Gate charge: 80nC, Kind of channel: enhanced, Gate-source voltage: ±30V, Pulsed drain current: 37A, Drain-source voltage: 1kV, Drain current: 6A, On-state resistance: 1.4Ω, Type of transistor: N-MOSFET, Power dissipation: 335W, Polarisation: unipolar, кількість в упаковці: 1 шт.
Інші пропозиції APT9M100B за ціною від 429.38 грн до 581.83 грн
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
APT9M100B | Виробник : MICROCHIP (MICROSEMI) |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 1kV; 6A; Idm: 37A; 335W; TO247-3 Mounting: THT Case: TO247-3 Technology: POWER MOS 8® Gate charge: 80nC Kind of channel: enhanced Gate-source voltage: ±30V Pulsed drain current: 37A Drain-source voltage: 1kV Drain current: 6A On-state resistance: 1.4Ω Type of transistor: N-MOSFET Power dissipation: 335W Polarisation: unipolar кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 4 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
|||||||||||
APT9M100B | Виробник : Microsemi | MOSFET Power MOSFET - MOS8 |
на замовлення 96 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
||||||||||||
APT9M100B | Виробник : Microchip Technology | Description: MOSFET N-CH 1000V 9A TO-247 |
товару немає в наявності |
||||||||||||
APT9M100B | Виробник : Microchip Technology | MOSFET MOSFET MOS8 1000 V 9 A TO-247 |
товару немає в наявності |