APT9F100B Microsemi Power Products Group
на замовлення 6 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис APT9F100B Microsemi Power Products Group
Category: THT N channel transistors, Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 1kV; 5A; Idm: 37A; 337W; TO247-3, Mounting: THT, Case: TO247-3, Power dissipation: 337W, Technology: POWER MOS 8®, Pulsed drain current: 37A, Gate charge: 80nC, Polarisation: unipolar, Drain current: 5A, Kind of channel: enhanced, Drain-source voltage: 1kV, Type of transistor: N-MOSFET, On-state resistance: 1.6Ω, Gate-source voltage: ±30V, кількість в упаковці: 1 шт.
Інші пропозиції APT9F100B
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ |
|---|---|---|---|---|---|
| APT9F100B | Виробник : Microsemi |
 MOSFET Power FREDFET - MOS8 |
на замовлення 95 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
||
 |
APT9F100B | Виробник : MICROCHIP (MICROSEMI) |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 1kV; 5A; Idm: 37A; 337W; TO247-3 Mounting: THT Case: TO247-3 Power dissipation: 337W Technology: POWER MOS 8® Pulsed drain current: 37A Gate charge: 80nC Polarisation: unipolar Drain current: 5A Kind of channel: enhanced Drain-source voltage: 1kV Type of transistor: N-MOSFET On-state resistance: 1.6Ω Gate-source voltage: ±30V кількість в упаковці: 1 шт |
товар відсутній |
|
 |
APT9F100B | Виробник : Microchip Technology |
MOSFET FREDFET MOS8 1000 V 9 A TO-247 |
товар відсутній |
|
|
|
APT9F100B | Виробник : MICROCHIP (MICROSEMI) |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 1kV; 5A; Idm: 37A; 337W; TO247-3 Mounting: THT Case: TO247-3 Power dissipation: 337W Technology: POWER MOS 8® Pulsed drain current: 37A Gate charge: 80nC Polarisation: unipolar Drain current: 5A Kind of channel: enhanced Drain-source voltage: 1kV Type of transistor: N-MOSFET On-state resistance: 1.6Ω Gate-source voltage: ±30V |
товар відсутній |