APT85GR120L MICROSEMI
на замовлення 25 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис APT85GR120L MICROSEMI
Description: IGBT NPT 1200V 170A TO264, Packaging: Tube, Package / Case: TO-264-3, TO-264AA, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Input Type: Standard, Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 3.2V @ 15V, 85A, Supplier Device Package: TO-264, IGBT Type: NPT, Td (on/off) @ 25°C: 43ns/300ns, Switching Energy: 6mJ (on), 3.8mJ (off), Test Condition: 600V, 85A, 4.3Ohm, 15V, Gate Charge: 660 nC, Current - Collector (Ic) (Max): 170 A, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V, Current - Collector Pulsed (Icm): 340 A, Power - Max: 962 W.
Інші пропозиції APT85GR120L
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ |
---|---|---|---|---|---|
APT85GR120L Код товару: 172611 |
![]() |
товар відсутній
|
|||
![]() |
APT85GR120L | Виробник : Microchip Technology |
![]() |
товар відсутній |
|
![]() |
APT85GR120L | Виробник : MICROCHIP (MICROSEMI) |
![]() Description: Transistor: IGBT; NPT; 1.2kV; 85A; 962W; TO264 Mounting: THT Power dissipation: 962W Kind of package: tube Gate charge: 0.49µC Technology: NPT; POWER MOS 8® Case: TO264 Collector-emitter voltage: 1.2kV Gate-emitter voltage: ±30V Collector current: 85A Pulsed collector current: 340A Turn-on time: 113ns Turn-off time: 445ns Type of transistor: IGBT кількість в упаковці: 1 шт |
товар відсутній |
|
|
APT85GR120L | Виробник : Microchip Technology |
![]() Packaging: Tube Package / Case: TO-264-3, TO-264AA Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Input Type: Standard Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 3.2V @ 15V, 85A Supplier Device Package: TO-264 IGBT Type: NPT Td (on/off) @ 25°C: 43ns/300ns Switching Energy: 6mJ (on), 3.8mJ (off) Test Condition: 600V, 85A, 4.3Ohm, 15V Gate Charge: 660 nC Current - Collector (Ic) (Max): 170 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V Current - Collector Pulsed (Icm): 340 A Power - Max: 962 W |
товар відсутній |
|
APT85GR120L | Виробник : Microchip Technology |
![]() |
товар відсутній |
||
![]() |
APT85GR120L | Виробник : MICROCHIP (MICROSEMI) |
![]() Description: Transistor: IGBT; NPT; 1.2kV; 85A; 962W; TO264 Mounting: THT Power dissipation: 962W Kind of package: tube Gate charge: 0.49µC Technology: NPT; POWER MOS 8® Case: TO264 Collector-emitter voltage: 1.2kV Gate-emitter voltage: ±30V Collector current: 85A Pulsed collector current: 340A Turn-on time: 113ns Turn-off time: 445ns Type of transistor: IGBT |
товар відсутній |