APT80GA60LD40 Microchip Technology
Виробник: Microchip TechnologyDescription: IGBT PT 600V 143A TO264
Packaging: Tube
Package / Case: TO-264-3, TO-264AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 22 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.5V @ 15V, 47A
Supplier Device Package: TO-264
IGBT Type: PT
Td (on/off) @ 25°C: 23ns/158ns
Switching Energy: 840µJ (on), 751µJ (off)
Test Condition: 400V, 47A, 4.7Ohm, 15V
Gate Charge: 230 nC
Current - Collector (Ic) (Max): 143 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 240 A
Power - Max: 625 W
на замовлення 46 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 1+ | 909.32 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис APT80GA60LD40 Microchip Technology
Description: IGBT PT 600V 143A TO264, Packaging: Tube, Package / Case: TO-264-3, TO-264AA, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Input Type: Standard, Reverse Recovery Time (trr): 22 ns, Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.5V @ 15V, 47A, Supplier Device Package: TO-264, IGBT Type: PT, Td (on/off) @ 25°C: 23ns/158ns, Switching Energy: 840µJ (on), 751µJ (off), Test Condition: 400V, 47A, 4.7Ohm, 15V, Gate Charge: 230 nC, Current - Collector (Ic) (Max): 143 A, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V, Current - Collector Pulsed (Icm): 240 A, Power - Max: 625 W.
Інші пропозиції APT80GA60LD40 за ціною від 715.51 грн до 987.28 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
APT80GA60LD40 | Виробник : Microchip Technology |
IGBT Transistors IGBT PT MOS 8 Combi 600 V 80 A TO-264 |
на замовлення 50 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||
 |
APT80GA60LD40 | Виробник : Microchip Technology |
Trans IGBT Chip N-CH 600V 143A 625W 3-Pin(3+Tab) TO-264 Tube |
товар відсутній |
|||||||||||
 |
APT80GA60LD40 | Виробник : MICROCHIP (MICROSEMI) |
Category: THT IGBT transistors Description: Transistor: IGBT; 600V; 80A; 625W; TO264 Technology: POWER MOS 8® Case: TO264 Mounting: THT Kind of package: tube Turn-on time: 52ns Turn-off time: 326ns Power dissipation: 625W Collector-emitter voltage: 600V Collector current: 80A Gate charge: 230nC Gate-emitter voltage: ±30V Pulsed collector current: 240A Type of transistor: IGBT кількість в упаковці: 1 шт |
товар відсутній |
|||||||||||
| APT80GA60LD40 | Виробник : MICROSEMI |
TO-264/143 A, 600 V, N-CHANNEL IGBT APT80GA60 кількість в упаковці: 1 шт |
товар відсутній |
||||||||||||
|
|
APT80GA60LD40 | Виробник : MICROCHIP (MICROSEMI) |
Category: THT IGBT transistors Description: Transistor: IGBT; 600V; 80A; 625W; TO264 Technology: POWER MOS 8® Case: TO264 Mounting: THT Kind of package: tube Turn-on time: 52ns Turn-off time: 326ns Power dissipation: 625W Collector-emitter voltage: 600V Collector current: 80A Gate charge: 230nC Gate-emitter voltage: ±30V Pulsed collector current: 240A Type of transistor: IGBT |
товар відсутній |