![APT8056BVRG APT8056BVRG](https://www.mouser.com/images/mouserelectronics/lrg/TO_247_3_t.jpg)
APT8056BVRG Microchip Technology
на замовлення 151 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
1+ | 1207.04 грн |
250+ | 1027.33 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис APT8056BVRG Microchip Technology
Description: MOSFET N-CH 800V 16A TO247, Packaging: Tube, Package / Case: TO-247-3, Mounting Type: Through Hole, Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 16A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 560mOhm @ 500mA, 10V, Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA, Supplier Device Package: TO-247 [B], Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 275 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4440 pF @ 25 V.
Інші пропозиції APT8056BVRG
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ |
---|---|---|---|---|---|
![]() |
APT8056BVRG | Виробник : Microchip Technology |
![]() |
товар відсутній |
|
![]() |
APT8056BVRG | Виробник : MICROCHIP (MICROSEMI) |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; POWER MOS 5®; unipolar; 800V; 16A; Idm: 64A Type of transistor: N-MOSFET Technology: POWER MOS 5® Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 800V Drain current: 16A Pulsed drain current: 64A Power dissipation: 370W Case: TO247-3 Gate-source voltage: ±30V On-state resistance: 0.56Ω Mounting: THT Gate charge: 275nC Kind of channel: enhanced кількість в упаковці: 1 шт |
товар відсутній |
|
APT8056BVRG | Виробник : MICROSEMI |
![]() кількість в упаковці: 30 шт |
товар відсутній |
||
![]() |
APT8056BVRG | Виробник : Microchip Technology |
![]() Packaging: Tube Package / Case: TO-247-3 Mounting Type: Through Hole Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 16A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 560mOhm @ 500mA, 10V Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA Supplier Device Package: TO-247 [B] Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 275 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4440 pF @ 25 V |
товар відсутній |
|
![]() |
APT8056BVRG | Виробник : MICROCHIP (MICROSEMI) |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; POWER MOS 5®; unipolar; 800V; 16A; Idm: 64A Type of transistor: N-MOSFET Technology: POWER MOS 5® Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 800V Drain current: 16A Pulsed drain current: 64A Power dissipation: 370W Case: TO247-3 Gate-source voltage: ±30V On-state resistance: 0.56Ω Mounting: THT Gate charge: 275nC Kind of channel: enhanced |
товар відсутній |