Технічний опис APT8043BLLG Microchip Technology
Description: MOSFET N-CH 800V 20A TO247, Packaging: Tube, Package / Case: TO-247-3, Mounting Type: Through Hole, Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 430mOhm @ 5A, 10V, Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 1mA, Supplier Device Package: TO-247 [B], Part Status: Active, Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 85 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2500 pF @ 25 V.
Інші пропозиції APT8043BLLG
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ |
---|---|---|---|---|---|
![]() |
APT8043BLLG | Виробник : Microchip Technology |
![]() |
товар відсутній |
|
![]() |
APT8043BLLG | Виробник : MICROCHIP (MICROSEMI) |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 20A; 403W; TO247 Mounting: THT On-state resistance: 0.43Ω Type of transistor: N-MOSFET Power dissipation: 403W Polarisation: unipolar Kind of package: tube Gate charge: 85nC Technology: POWER MOS 7® Kind of channel: enhanced Gate-source voltage: ±30V Case: TO247 Drain-source voltage: 800V Drain current: 20A кількість в упаковці: 1 шт |
товар відсутній |
|
APT8043BLLG | Виробник : MICROSEMI |
![]() кількість в упаковці: 30 шт |
товар відсутній |
||
![]() |
APT8043BLLG | Виробник : Microchip Technology |
![]() Packaging: Tube Package / Case: TO-247-3 Mounting Type: Through Hole Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 430mOhm @ 5A, 10V Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 1mA Supplier Device Package: TO-247 [B] Part Status: Active Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 85 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2500 pF @ 25 V |
товар відсутній |
|
![]() |
APT8043BLLG | Виробник : Microchip Technology |
![]() |
товар відсутній |
|
![]() |
APT8043BLLG | Виробник : MICROCHIP (MICROSEMI) |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 20A; 403W; TO247 Mounting: THT On-state resistance: 0.43Ω Type of transistor: N-MOSFET Power dissipation: 403W Polarisation: unipolar Kind of package: tube Gate charge: 85nC Technology: POWER MOS 7® Kind of channel: enhanced Gate-source voltage: ±30V Case: TO247 Drain-source voltage: 800V Drain current: 20A |
товар відсутній |