Технічний опис APT8014JLL Microchip Technology
Category: Transistor modules MOSFET, Description: Module; single transistor; 800V; 42A; ISOTOP; screw; Idm: 168A; 595W, Power dissipation: 595W, Polarisation: unipolar, Electrical mounting: screw, Mechanical mounting: screw, Type of module: MOSFET transistor, Technology: POWER MOS 7®, Kind of channel: enhanced, Gate-source voltage: ±30V, Pulsed drain current: 168A, Case: ISOTOP, Semiconductor structure: single transistor, Drain-source voltage: 800V, Drain current: 42A, On-state resistance: 0.14Ω, кількість в упаковці: 1 шт.
Інші пропозиції APT8014JLL
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ |
---|---|---|---|---|---|
![]() |
APT8014JLL | Виробник : Microchip Technology |
![]() |
товар відсутній |
|
APT8014JLL | Виробник : MICROCHIP (MICROSEMI) |
![]() Description: Module; single transistor; 800V; 42A; ISOTOP; screw; Idm: 168A; 595W Power dissipation: 595W Polarisation: unipolar Electrical mounting: screw Mechanical mounting: screw Type of module: MOSFET transistor Technology: POWER MOS 7® Kind of channel: enhanced Gate-source voltage: ±30V Pulsed drain current: 168A Case: ISOTOP Semiconductor structure: single transistor Drain-source voltage: 800V Drain current: 42A On-state resistance: 0.14Ω кількість в упаковці: 1 шт |
товар відсутній |
||
![]() |
APT8014JLL | Виробник : Microchip Technology |
![]() |
товар відсутній |
|
![]() |
APT8014JLL | Виробник : Microchip Technology |
![]() |
товар відсутній |
|
APT8014JLL | Виробник : Microchip / Microsemi |
![]() |
товар відсутній |
||
APT8014JLL | Виробник : Microchip Technology |
![]() |
товар відсутній |
||
APT8014JLL | Виробник : MICROCHIP (MICROSEMI) |
![]() Description: Module; single transistor; 800V; 42A; ISOTOP; screw; Idm: 168A; 595W Power dissipation: 595W Polarisation: unipolar Electrical mounting: screw Mechanical mounting: screw Type of module: MOSFET transistor Technology: POWER MOS 7® Kind of channel: enhanced Gate-source voltage: ±30V Pulsed drain current: 168A Case: ISOTOP Semiconductor structure: single transistor Drain-source voltage: 800V Drain current: 42A On-state resistance: 0.14Ω |
товар відсутній |