![APT75GT120JRDQ3 APT75GT120JRDQ3](https://eu.mouser.com/images/microsemi/lrg/SOT_227_DSL.jpg)
APT75GT120JRDQ3 Microsemi
на замовлення 19 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис APT75GT120JRDQ3 Microsemi
Category: IGBT modules, Description: Module: IGBT; single transistor; Urmax: 1.2kV; Ic: 57A; SOT227B, Type of module: IGBT, Semiconductor structure: single transistor, Max. off-state voltage: 1.2kV, Collector current: 57A, Case: SOT227B, Electrical mounting: screw, Gate-emitter voltage: ±20V, Pulsed collector current: 300A, Technology: NPT; POWER MOS 7®, Mechanical mounting: screw, кількість в упаковці: 1 шт.
Інші пропозиції APT75GT120JRDQ3
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ |
---|---|---|---|---|---|
|
APT75GT120JRDQ3 Код товару: 47971 |
![]() |
товар відсутній
|
||
![]() |
APT75GT120JRDQ3 | Виробник : Microchip Technology |
![]() |
товар відсутній |
|
APT75GT120JRDQ3 | Виробник : MICROCHIP (MICROSEMI) |
![]() Description: Module: IGBT; single transistor; Urmax: 1.2kV; Ic: 57A; SOT227B Type of module: IGBT Semiconductor structure: single transistor Max. off-state voltage: 1.2kV Collector current: 57A Case: SOT227B Electrical mounting: screw Gate-emitter voltage: ±20V Pulsed collector current: 300A Technology: NPT; POWER MOS 7® Mechanical mounting: screw кількість в упаковці: 1 шт |
товар відсутній |
||
APT75GT120JRDQ3 | Виробник : MICROSEMI |
![]() кількість в упаковці: 1 шт |
товар відсутній |
||
|
APT75GT120JRDQ3 | Виробник : Microchip Technology |
![]() |
товар відсутній |
|
APT75GT120JRDQ3 | Виробник : MICROCHIP (MICROSEMI) |
![]() Description: Module: IGBT; single transistor; Urmax: 1.2kV; Ic: 57A; SOT227B Type of module: IGBT Semiconductor structure: single transistor Max. off-state voltage: 1.2kV Collector current: 57A Case: SOT227B Electrical mounting: screw Gate-emitter voltage: ±20V Pulsed collector current: 300A Technology: NPT; POWER MOS 7® Mechanical mounting: screw |
товар відсутній |