APT70GR65B Microchip Technology
Виробник: Microchip Technology
Description: IGBT 650V 134A 595W TO-247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.4V @ 15V, 70A
Supplier Device Package: TO-247
IGBT Type: NPT
Td (on/off) @ 25°C: 19ns/170ns
Switching Energy: 1.51mJ (on), 1.46mJ (off)
Test Condition: 433V, 70A, 4.3Ohm, 15V
Gate Charge: 305 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 134 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 260 A
Power - Max: 595 W
Description: IGBT 650V 134A 595W TO-247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.4V @ 15V, 70A
Supplier Device Package: TO-247
IGBT Type: NPT
Td (on/off) @ 25°C: 19ns/170ns
Switching Energy: 1.51mJ (on), 1.46mJ (off)
Test Condition: 433V, 70A, 4.3Ohm, 15V
Gate Charge: 305 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 134 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 260 A
Power - Max: 595 W
на замовлення 18 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
1+ | 572.72 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис APT70GR65B Microchip Technology
Description: IGBT 650V 134A 595W TO-247, Packaging: Tube, Package / Case: TO-247-3, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Input Type: Standard, Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.4V @ 15V, 70A, Supplier Device Package: TO-247, IGBT Type: NPT, Td (on/off) @ 25°C: 19ns/170ns, Switching Energy: 1.51mJ (on), 1.46mJ (off), Test Condition: 433V, 70A, 4.3Ohm, 15V, Gate Charge: 305 nC, Part Status: Active, Current - Collector (Ic) (Max): 134 A, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V, Current - Collector Pulsed (Icm): 260 A, Power - Max: 595 W.
Інші пропозиції APT70GR65B
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ |
---|---|---|---|---|---|
APT70GR65B | Виробник : Microsemi | IGBT Transistors Insulated Gate Bipolar Transistor - Power MOS 8 |
на замовлення 3 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
||
APT70GR65B | Виробник : MICROCHIP (MICROSEMI) | APT70GR65B THT IGBT transistors |
товару немає в наявності |
||
APT70GR65B | Виробник : Microchip Technology | Trans IGBT Chip N-CH 650V 134A 595W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube |
товару немає в наявності |
||
APT70GR65B | Виробник : Microchip Technology | Trans IGBT Chip N-CH 650V 134A 595W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube |
товару немає в наявності |