APT70GR120JD60 Microchip Technology
![127879-apt70gr120jd60-datasheet](/images/adobe-acrobat.png)
Description: IGBT MOD 1200V 112A 543W SOT227
Packaging: Tube
Package / Case: SOT-227-4
Mounting Type: Chassis Mount
Input: Standard
Configuration: Single
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 3.2V @ 15V, 70A
NTC Thermistor: No
Supplier Device Package: SOT-227
IGBT Type: NPT
Current - Collector (Ic) (Max): 112 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V
Power - Max: 543 W
Current - Collector Cutoff (Max): 1.1 mA
Input Capacitance (Cies) @ Vce: 7.26 nF @ 25 V
на замовлення 21 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
1+ | 2631.77 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис APT70GR120JD60 Microchip Technology
Description: IGBT MOD 1200V 112A 543W SOT227, Packaging: Tube, Package / Case: SOT-227-4, Mounting Type: Chassis Mount, Input: Standard, Configuration: Single, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 3.2V @ 15V, 70A, NTC Thermistor: No, Supplier Device Package: SOT-227, IGBT Type: NPT, Current - Collector (Ic) (Max): 112 A, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V, Power - Max: 543 W, Current - Collector Cutoff (Max): 1.1 mA, Input Capacitance (Cies) @ Vce: 7.26 nF @ 25 V.
Інші пропозиції APT70GR120JD60 за ціною від 2399.83 грн до 2819.48 грн
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
APT70GR120JD60 | Виробник : Microchip Technology |
![]() |
на замовлення 3 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
|||||||
![]() |
APT70GR120JD60 | Виробник : Microchip Technology |
![]() |
товар відсутній |
|||||||
APT70GR120JD60 | Виробник : MICROCHIP (MICROSEMI) |
![]() Description: Module: IGBT; single transistor; Urmax: 1.2kV; Ic: 70A; SOT227B Type of module: IGBT Mechanical mounting: screw Electrical mounting: screw Technology: NPT; NPT Ultra Fast IGBT; POWER MOS 8® Case: SOT227B Max. off-state voltage: 1.2kV Semiconductor structure: single transistor Gate-emitter voltage: ±30V Collector current: 70A Pulsed collector current: 280A кількість в упаковці: 1 шт |
товар відсутній |
||||||||
APT70GR120JD60 | Виробник : MICROSEMI |
![]() кількість в упаковці: 1 шт |
товар відсутній |
||||||||
APT70GR120JD60 | Виробник : MICROCHIP (MICROSEMI) |
![]() Description: Module: IGBT; single transistor; Urmax: 1.2kV; Ic: 70A; SOT227B Type of module: IGBT Mechanical mounting: screw Electrical mounting: screw Technology: NPT; NPT Ultra Fast IGBT; POWER MOS 8® Case: SOT227B Max. off-state voltage: 1.2kV Semiconductor structure: single transistor Gate-emitter voltage: ±30V Collector current: 70A Pulsed collector current: 280A |
товар відсутній |