Технічний опис APT66F60B2 Microsemi
Category: THT N channel transistors, Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 44A; Idm: 245A; 1135W, Case: TO247MAX, Mounting: THT, Power dissipation: 1135W, Polarisation: unipolar, Gate charge: 330nC, Technology: POWER MOS 8®, Kind of channel: enhanced, Gate-source voltage: ±30V, Pulsed drain current: 245A, Drain-source voltage: 600V, Drain current: 44A, On-state resistance: 90mΩ, Type of transistor: N-MOSFET, кількість в упаковці: 1 шт.
Інші пропозиції APT66F60B2
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ |
---|---|---|---|---|---|
APT66F60B2 | Виробник : MICROCHIP (MICROSEMI) |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 44A; Idm: 245A; 1135W Case: TO247MAX Mounting: THT Power dissipation: 1135W Polarisation: unipolar Gate charge: 330nC Technology: POWER MOS 8® Kind of channel: enhanced Gate-source voltage: ±30V Pulsed drain current: 245A Drain-source voltage: 600V Drain current: 44A On-state resistance: 90mΩ Type of transistor: N-MOSFET кількість в упаковці: 1 шт |
товар відсутній |
||
|
APT66F60B2 | Виробник : Microchip Technology |
![]() |
товар відсутній |
|
![]() |
APT66F60B2 | Виробник : Microchip Technology |
![]() |
товар відсутній |
|
APT66F60B2 | Виробник : MICROCHIP (MICROSEMI) |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 44A; Idm: 245A; 1135W Case: TO247MAX Mounting: THT Power dissipation: 1135W Polarisation: unipolar Gate charge: 330nC Technology: POWER MOS 8® Kind of channel: enhanced Gate-source voltage: ±30V Pulsed drain current: 245A Drain-source voltage: 600V Drain current: 44A On-state resistance: 90mΩ Type of transistor: N-MOSFET |
товар відсутній |