APT65GP60L2DQ2G Microchip Technology
Виробник: Microchip TechnologyDescription: IGBT PT 600V 198A
Packaging: Tube
Package / Case: TO-264-3, TO-264AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.7V @ 15V, 65A
IGBT Type: PT
Td (on/off) @ 25°C: 30ns/90ns
Switching Energy: 605µJ (on), 895µJ (off)
Test Condition: 400V, 65A, 5Ohm, 15V
Gate Charge: 210 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 198 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 250 A
Power - Max: 833 W
на замовлення 25 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 1+ | 1467.38 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис APT65GP60L2DQ2G Microchip Technology
Description: IGBT PT 600V 198A, Packaging: Tube, Package / Case: TO-264-3, TO-264AA, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Input Type: Standard, Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.7V @ 15V, 65A, IGBT Type: PT, Td (on/off) @ 25°C: 30ns/90ns, Switching Energy: 605µJ (on), 895µJ (off), Test Condition: 400V, 65A, 5Ohm, 15V, Gate Charge: 210 nC, Part Status: Active, Current - Collector (Ic) (Max): 198 A, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V, Current - Collector Pulsed (Icm): 250 A, Power - Max: 833 W.
Інші пропозиції APT65GP60L2DQ2G за ціною від 1142.14 грн до 1654.61 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
APT65GP60L2DQ2G | Виробник : Microchip Technology |
Trans IGBT Chip N-CH 600V 198A 833W 3-Pin(3+Tab) TO-264 MAX Tube |
на замовлення 20 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||
 |
APT65GP60L2DQ2G | Виробник : Microchip Technology |
IGBT Transistors IGBT PT MOS 7 Combi 600 V 65 A TO-264 MAX |
на замовлення 49 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||
|
|
APT65GP60L2DQ2G | Виробник : Microchip Technology |
Trans IGBT Chip N-CH 600V 198A 833W 3-Pin(3+Tab) TO-264 MAX Tube |
на замовлення 20 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||
 |
APT65GP60L2DQ2G | Виробник : Microchip Technology |
Trans IGBT Chip N-CH 600V 198A 833000mW 3-Pin(3+Tab) TO-264 MAX Tube |
товар відсутній |
|||||||||
 |
APT65GP60L2DQ2G | Виробник : MICROCHIP (MICROSEMI) |
Category: THT IGBT transistors Description: Transistor: IGBT; PT; 600V; 96A; 833W; TO264MAX Type of transistor: IGBT Technology: POWER MOS 7®; PT Collector-emitter voltage: 600V Collector current: 96A Power dissipation: 833W Case: TO264MAX Gate-emitter voltage: ±30V Pulsed collector current: 250A Mounting: THT Gate charge: 0.21µC Kind of package: tube Turn-on time: 85ns Turn-off time: 0.22µs Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode кількість в упаковці: 1 шт |
товар відсутній |
|||||||||
| APT65GP60L2DQ2G | Виробник : MICROSEMI |
TO264-MAX/INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR - PT POWER MOS 7 - COMBI APT65GP60 кількість в упаковці: 1 шт |
товар відсутній |
||||||||||
|
|
APT65GP60L2DQ2G | Виробник : MICROCHIP (MICROSEMI) |
Category: THT IGBT transistors Description: Transistor: IGBT; PT; 600V; 96A; 833W; TO264MAX Type of transistor: IGBT Technology: POWER MOS 7®; PT Collector-emitter voltage: 600V Collector current: 96A Power dissipation: 833W Case: TO264MAX Gate-emitter voltage: ±30V Pulsed collector current: 250A Mounting: THT Gate charge: 0.21µC Kind of package: tube Turn-on time: 85ns Turn-off time: 0.22µs Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode |
товар відсутній |