APT65GP60JDQ2 Microchip Technology
на замовлення 20 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 1+ | 2915.1 грн |
| 100+ | 2482.25 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис APT65GP60JDQ2 Microchip Technology
Description: IGBT 600V 130A 431W SOT227, Packaging: Tube, Package / Case: ISOTOP, Mounting Type: Chassis Mount, Input: Standard, Configuration: Single, Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.7V @ 15V, 65A, NTC Thermistor: No, Supplier Device Package: ISOTOP®, IGBT Type: PT, Current - Collector (Ic) (Max): 130 A, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V, Power - Max: 431 W, Current - Collector Cutoff (Max): 1.25 mA, Input Capacitance (Cies) @ Vce: 7.4 nF @ 25 V.
Інші пропозиції APT65GP60JDQ2
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ |
|---|---|---|---|---|---|
| APT65GP60JDQ2 | Виробник : MICROCHIP (MICROSEMI) |
 Category: IGBT modulesDescription: Module: IGBT; single transistor; Urmax: 600V; Ic: 60A; SOT227B Technology: POWER MOS 7®; PT Collector current: 60A Case: SOT227B Gate-emitter voltage: ±20V Pulsed collector current: 250A Semiconductor structure: single transistor Max. off-state voltage: 0.6kV Electrical mounting: screw Mechanical mounting: screw Type of module: IGBT кількість в упаковці: 1 шт |
товар відсутній |
||
| APT65GP60JDQ2 | Виробник : MICROSEMI |
SOT-227/Discrete Semiconductor Products APT65GP60 кількість в упаковці: 1 шт |
товар відсутній |
||
 |
APT65GP60JDQ2 | Виробник : Microchip Technology |
Description: IGBT 600V 130A 431W SOT227 Packaging: Tube Package / Case: ISOTOP Mounting Type: Chassis Mount Input: Standard Configuration: Single Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.7V @ 15V, 65A NTC Thermistor: No Supplier Device Package: ISOTOP® IGBT Type: PT Current - Collector (Ic) (Max): 130 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V Power - Max: 431 W Current - Collector Cutoff (Max): 1.25 mA Input Capacitance (Cies) @ Vce: 7.4 nF @ 25 V |
товар відсутній |
|
| APT65GP60JDQ2 | Виробник : MICROCHIP (MICROSEMI) |
Category: IGBT modules Description: Module: IGBT; single transistor; Urmax: 600V; Ic: 60A; SOT227B Technology: POWER MOS 7®; PT Collector current: 60A Case: SOT227B Gate-emitter voltage: ±20V Pulsed collector current: 250A Semiconductor structure: single transistor Max. off-state voltage: 0.6kV Electrical mounting: screw Mechanical mounting: screw Type of module: IGBT |
товар відсутній |