![APT60N60BCSG APT60N60BCSG](https://mm.digikey.com/Volume0/opasdata/d220001/medias/images/413/TO-247-3-PKG-Series.jpg)
APT60N60BCSG Microchip Technology
![High-Voltage-Power-Discretes-and-Modules-Brochure-00003052.pdf](/images/adobe-acrobat.png)
Description: MOSFET N-CH 600V 60A TO247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 60A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 45mOhm @ 44A, 10V
Power Dissipation (Max): 431W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.9V @ 3mA
Supplier Device Package: TO-247 [B]
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 190 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7200 pF @ 25 V
на замовлення 134 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
1+ | 1417.96 грн |
100+ | 1108.87 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис APT60N60BCSG Microchip Technology
Description: MOSFET N-CH 600V 60A TO247, Packaging: Tube, Package / Case: TO-247-3, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 60A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 45mOhm @ 44A, 10V, Power Dissipation (Max): 431W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 3.9V @ 3mA, Supplier Device Package: TO-247 [B], Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±30V, Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 190 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7200 pF @ 25 V.
Інші пропозиції APT60N60BCSG за ціною від 1315.08 грн до 1545.7 грн
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() |
APT60N60BCSG | Виробник : Microchip Technology |
![]() |
на замовлення 21 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||
![]() |
APT60N60BCSG | Виробник : Microchip Technology |
![]() |
товар відсутній |
|||||||
![]() |
APT60N60BCSG | Виробник : MICROCHIP (MICROSEMI) |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 38A; Idm: 230A; 431W; TO247-3 Type of transistor: N-MOSFET Technology: CoolMOS™ Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 600V Drain current: 38A Pulsed drain current: 230A Power dissipation: 431W Case: TO247-3 Gate-source voltage: ±30V On-state resistance: 45mΩ Mounting: THT Gate charge: 0.19µC Kind of channel: enhanced кількість в упаковці: 1 шт |
товар відсутній |
|||||||
APT60N60BCSG | Виробник : MICROSEMI |
![]() кількість в упаковці: 30 шт |
товар відсутній |
||||||||
![]() |
APT60N60BCSG | Виробник : MICROCHIP (MICROSEMI) |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 38A; Idm: 230A; 431W; TO247-3 Type of transistor: N-MOSFET Technology: CoolMOS™ Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 600V Drain current: 38A Pulsed drain current: 230A Power dissipation: 431W Case: TO247-3 Gate-source voltage: ±30V On-state resistance: 45mΩ Mounting: THT Gate charge: 0.19µC Kind of channel: enhanced |
товар відсутній |