APT6038BFLLG MICROCHIP (MICROSEMI)
Виробник: MICROCHIP (MICROSEMI)
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 17A; Idm: 68A; 265W; TO247-3
Mounting: THT
Power dissipation: 265W
Polarisation: unipolar
Gate charge: 43nC
Technology: POWER MOS 7®
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±30V
Pulsed drain current: 68A
Case: TO247-3
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 17A
On-state resistance: 0.38Ω
Type of transistor: N-MOSFET
кількість в упаковці: 1 шт
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 17A; Idm: 68A; 265W; TO247-3
Mounting: THT
Power dissipation: 265W
Polarisation: unipolar
Gate charge: 43nC
Technology: POWER MOS 7®
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±30V
Pulsed drain current: 68A
Case: TO247-3
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 17A
On-state resistance: 0.38Ω
Type of transistor: N-MOSFET
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис APT6038BFLLG MICROCHIP (MICROSEMI)
Category: THT N channel transistors, Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 17A; Idm: 68A; 265W; TO247-3, Mounting: THT, Power dissipation: 265W, Polarisation: unipolar, Gate charge: 43nC, Technology: POWER MOS 7®, Kind of channel: enhanced, Gate-source voltage: ±30V, Pulsed drain current: 68A, Case: TO247-3, Drain-source voltage: 600V, Drain current: 17A, On-state resistance: 0.38Ω, Type of transistor: N-MOSFET, кількість в упаковці: 1 шт.
Інші пропозиції APT6038BFLLG
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ |
---|---|---|---|---|---|
APT6038BFLLG | Виробник : Microchip Technology | Description: MOSFET N-CH 600V 17A TO-247 |
товар відсутній |
||
APT6038BFLLG | Виробник : Microsemi | MOSFET Power FREDFET - MOS7 |
товар відсутній |
||
APT6038BFLLG | Виробник : MICROCHIP (MICROSEMI) |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 17A; Idm: 68A; 265W; TO247-3 Mounting: THT Power dissipation: 265W Polarisation: unipolar Gate charge: 43nC Technology: POWER MOS 7® Kind of channel: enhanced Gate-source voltage: ±30V Pulsed drain current: 68A Case: TO247-3 Drain-source voltage: 600V Drain current: 17A On-state resistance: 0.38Ω Type of transistor: N-MOSFET |
товар відсутній |