APT6017B2FLLG Microsemi Power Products Group
на замовлення 30 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис APT6017B2FLLG Microsemi Power Products Group
Category: THT N channel transistors, Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 35A; Idm: 140A; 500W; TO247MAX, Type of transistor: N-MOSFET, Technology: POWER MOS 7®, Polarisation: unipolar, Drain-source voltage: 600V, Drain current: 35A, Pulsed drain current: 140A, Power dissipation: 500W, Case: TO247MAX, Gate-source voltage: ±30V, On-state resistance: 0.17Ω, Mounting: THT, Gate charge: 0.1µC, Kind of channel: enhanced, кількість в упаковці: 1 шт.
Інші пропозиції APT6017B2FLLG
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ |
---|---|---|---|---|---|
![]() |
APT6017B2FLLG | Виробник : Microchip Technology |
![]() |
товар відсутній |
|
APT6017B2FLLG | Виробник : MICROCHIP (MICROSEMI) |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 35A; Idm: 140A; 500W; TO247MAX Type of transistor: N-MOSFET Technology: POWER MOS 7® Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 600V Drain current: 35A Pulsed drain current: 140A Power dissipation: 500W Case: TO247MAX Gate-source voltage: ±30V On-state resistance: 0.17Ω Mounting: THT Gate charge: 0.1µC Kind of channel: enhanced кількість в упаковці: 1 шт |
товар відсутній |
||
![]() |
APT6017B2FLLG | Виробник : Microchip Technology |
![]() |
товар відсутній |
|
APT6017B2FLLG | Виробник : MICROCHIP (MICROSEMI) |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 35A; Idm: 140A; 500W; TO247MAX Type of transistor: N-MOSFET Technology: POWER MOS 7® Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 600V Drain current: 35A Pulsed drain current: 140A Power dissipation: 500W Case: TO247MAX Gate-source voltage: ±30V On-state resistance: 0.17Ω Mounting: THT Gate charge: 0.1µC Kind of channel: enhanced |
товар відсутній |