APT56F60L MICROCHIP (MICROSEMI)
Виробник: MICROCHIP (MICROSEMI)Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 38A; Idm: 210A; 1.04kW; TO264
Case: TO264
Mounting: THT
Power dissipation: 1.04kW
Polarisation: unipolar
Gate charge: 280nC
Technology: POWER MOS 8®
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±30V
Pulsed drain current: 210A
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 38A
On-state resistance: 0.11Ω
Type of transistor: N-MOSFET
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис APT56F60L MICROCHIP (MICROSEMI)
Category: THT N channel transistors, Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 38A; Idm: 210A; 1.04kW; TO264, Case: TO264, Mounting: THT, Power dissipation: 1.04kW, Polarisation: unipolar, Gate charge: 280nC, Technology: POWER MOS 8®, Kind of channel: enhanced, Gate-source voltage: ±30V, Pulsed drain current: 210A, Drain-source voltage: 600V, Drain current: 38A, On-state resistance: 0.11Ω, Type of transistor: N-MOSFET, кількість в упаковці: 1 шт.
Інші пропозиції APT56F60L
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ |
|---|---|---|---|---|---|
 |
APT56F60L | Виробник : Microsemi Power Products Group |
Description: MOSFET N-CH 600V 60A TO-264 |
товар відсутній |
|
 |
APT56F60L | Виробник : Microchip Technology |
MOSFET FREDFET MOS8 600 V 56 A TO-264 |
товар відсутній |
|
|
|
APT56F60L | Виробник : MICROCHIP (MICROSEMI) |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 38A; Idm: 210A; 1.04kW; TO264 Case: TO264 Mounting: THT Power dissipation: 1.04kW Polarisation: unipolar Gate charge: 280nC Technology: POWER MOS 8® Kind of channel: enhanced Gate-source voltage: ±30V Pulsed drain current: 210A Drain-source voltage: 600V Drain current: 38A On-state resistance: 0.11Ω Type of transistor: N-MOSFET |
товар відсутній |