APT56F50B2 Microchip Technology
Виробник: Microchip TechnologyDescription: MOSFET N-CH 500V 56A T-MAX
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3 Variant
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 56A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 100mOhm @ 28A, 10V
Power Dissipation (Max): 780W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 2.5mA
Supplier Device Package: T-MAX™ [B2]
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 220 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 8800 pF @ 25 V
на замовлення 41 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 1+ | 952.74 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис APT56F50B2 Microchip Technology
Description: MOSFET N-CH 500V 56A T-MAX, Packaging: Tube, Package / Case: TO-247-3 Variant, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 56A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 100mOhm @ 28A, 10V, Power Dissipation (Max): 780W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 2.5mA, Supplier Device Package: T-MAX™ [B2], Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±30V, Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 220 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 8800 pF @ 25 V.
Інші пропозиції APT56F50B2
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ |
|---|---|---|---|---|---|
 |
APT56F50B2 | Виробник : Microsemi |
MOSFET Power FREDFET - MOS8 |
на замовлення 40 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
| APT56F50B2 | Виробник : MICROCHIP (MICROSEMI) |
APT56F50B2 THT N channel transistors |
товару немає в наявності |