APT50M80LVFRG

APT50M80LVFRG MICROCHIP (MICROSEMI)


Виробник: MICROCHIP (MICROSEMI)
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; POWER MOS 5®; unipolar; 500V; 58A; Idm: 232A
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: POWER MOS 5®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 58A
Pulsed drain current: 232A
Power dissipation: 625W
Case: TO264
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 80mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 423nC
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній

Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис APT50M80LVFRG MICROCHIP (MICROSEMI)

Category: THT N channel transistors, Description: Transistor: N-MOSFET; POWER MOS 5®; unipolar; 500V; 58A; Idm: 232A, Type of transistor: N-MOSFET, Technology: POWER MOS 5®, Polarisation: unipolar, Drain-source voltage: 500V, Drain current: 58A, Pulsed drain current: 232A, Power dissipation: 625W, Case: TO264, Gate-source voltage: ±30V, On-state resistance: 80mΩ, Mounting: THT, Gate charge: 423nC, Kind of channel: enhanced, кількість в упаковці: 1 шт.

Інші пропозиції APT50M80LVFRG

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна без ПДВ
APT50M80LVFRG APT50M80LVFRG Виробник : MICROCHIP (MICROSEMI) Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; POWER MOS 5®; unipolar; 500V; 58A; Idm: 232A
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: POWER MOS 5®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 58A
Pulsed drain current: 232A
Power dissipation: 625W
Case: TO264
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 80mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 423nC
Kind of channel: enhanced
товар відсутній