APT50M50L2LLG

APT50M50L2LLG Microchip Technology


50m50l2ll.pdf Виробник: Microchip Technology
Trans MOSFET N-CH 500V 89A 3-Pin(3+Tab) TO-264 MAX Tube
товар відсутній

Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис APT50M50L2LLG Microchip Technology

Category: THT N channel transistors, Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 89A; Idm: 356A; 893W; TO264MAX, Case: TO264MAX, Mounting: THT, Drain-source voltage: 500V, Drain current: 89A, On-state resistance: 50mΩ, Type of transistor: N-MOSFET, Power dissipation: 893W, Polarisation: unipolar, Gate charge: 200nC, Technology: POWER MOS 7®, Kind of channel: enhanced, Gate-source voltage: ±30V, Pulsed drain current: 356A, кількість в упаковці: 1 шт.

Інші пропозиції APT50M50L2LLG

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна без ПДВ
APT50M50L2LLG APT50M50L2LLG Виробник : Microchip Technology 50m50l2ll.pdf Trans MOSFET N-CH 500V 89A 3-Pin(3+Tab) TO-264 MAX Tube
товар відсутній
APT50M50L2LLG Виробник : MICROCHIP (MICROSEMI) 6340-apt50m50l2ll-datasheet Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 89A; Idm: 356A; 893W; TO264MAX
Case: TO264MAX
Mounting: THT
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 89A
On-state resistance: 50mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 893W
Polarisation: unipolar
Gate charge: 200nC
Technology: POWER MOS 7®
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±30V
Pulsed drain current: 356A
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
APT50M50L2LLG APT50M50L2LLG Виробник : Microchip Technology 6340-apt50m50l2ll-datasheet Description: MOSFET N-CH 500V 89A 264 MAX
товар відсутній
APT50M50L2LLG APT50M50L2LLG Виробник : Microchip / Microsemi aptts02783_1-2274746.pdf MOSFET FG, MOSFET, 500V, TO-264 MAX, RoHS
товар відсутній
APT50M50L2LLG Виробник : MICROCHIP (MICROSEMI) 6340-apt50m50l2ll-datasheet Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 89A; Idm: 356A; 893W; TO264MAX
Case: TO264MAX
Mounting: THT
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 89A
On-state resistance: 50mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 893W
Polarisation: unipolar
Gate charge: 200nC
Technology: POWER MOS 7®
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±30V
Pulsed drain current: 356A
товар відсутній