APT50GT120LRDQ2G Microchip Technology
на замовлення 60 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
7+ | 1951.19 грн |
10+ | 1836.81 грн |
25+ | 1786.33 грн |
50+ | 1676.66 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис APT50GT120LRDQ2G Microchip Technology
IGBT Transistors Insulated Gate Bipolar Transistor - NPT Med Frequency Combi.
Інші пропозиції APT50GT120LRDQ2G
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ |
---|---|---|---|---|---|
APT50GT120LRDQ2G | Виробник : Microsemi | IGBT Transistors Insulated Gate Bipolar Transistor - NPT Med Frequency Combi |
на замовлення 140 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
||
APT50GT120LRDQ2G | Виробник : Microchip Technology | Trans IGBT Chip N-CH 1200V 106A 694000mW 3-Pin(3+Tab) TO-264 Tube |
товар відсутній |
||
APT50GT120LRDQ2G | Виробник : Microchip Technology | Trans IGBT Chip N-CH 1200V 106A 694W 3-Pin(3+Tab) TO-264 Tube |
товар відсутній |
||
APT50GT120LRDQ2G | Виробник : MICROCHIP (MICROSEMI) | APT50GT120LRDQ2G THT IGBT transistors |
товар відсутній |
||
APT50GT120LRDQ2G | Виробник : Microsemi Corporation | Description: IGBT 1200V 106A 694W TO264 |
товар відсутній |