APT50GR120JD30 Microsemi
на замовлення 15 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис APT50GR120JD30 Microsemi
Category: IGBT modules, Description: Module: IGBT; single transistor; Urmax: 1.2kV; Ic: 50A; SOT227B, Technology: NPT; NPT Ultra Fast IGBT; POWER MOS 8®, Collector current: 50A, Case: SOT227B, Gate-emitter voltage: ±30V, Pulsed collector current: 200A, Semiconductor structure: single transistor, Max. off-state voltage: 1.2kV, Electrical mounting: screw, Mechanical mounting: screw, Type of module: IGBT, кількість в упаковці: 1 шт.
Інші пропозиції APT50GR120JD30
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ |
---|---|---|---|---|---|
APT50GR120JD30 | Виробник : Microchip Technology | Trans IGBT Module N-CH 1200V 85A 417000mW 4-Pin SOT-227 Tube |
товар відсутній |
||
APT50GR120JD30 | Виробник : Microchip Technology | Trans IGBT Module N-CH 1200V 84A 417W 4-Pin SOT-227 Tube |
товар відсутній |
||
APT50GR120JD30 | Виробник : Microchip Technology | Trans IGBT Module N-CH 1200V 84A 417W 4-Pin SOT-227 Tube |
товар відсутній |
||
APT50GR120JD30 | Виробник : MICROCHIP (MICROSEMI) |
Category: IGBT modules Description: Module: IGBT; single transistor; Urmax: 1.2kV; Ic: 50A; SOT227B Technology: NPT; NPT Ultra Fast IGBT; POWER MOS 8® Collector current: 50A Case: SOT227B Gate-emitter voltage: ±30V Pulsed collector current: 200A Semiconductor structure: single transistor Max. off-state voltage: 1.2kV Electrical mounting: screw Mechanical mounting: screw Type of module: IGBT кількість в упаковці: 1 шт |
товар відсутній |
||
APT50GR120JD30 | Виробник : Microchip Technology | Description: IGBT MOD 1200V 84A 417W SOT227 |
товар відсутній |
||
APT50GR120JD30 | Виробник : Microchip Technology | IGBT Modules FG, IGBT-COMBI, 1200V, 50A, SOT-227 |
товар відсутній |
||
APT50GR120JD30 | Виробник : MICROCHIP (MICROSEMI) |
Category: IGBT modules Description: Module: IGBT; single transistor; Urmax: 1.2kV; Ic: 50A; SOT227B Technology: NPT; NPT Ultra Fast IGBT; POWER MOS 8® Collector current: 50A Case: SOT227B Gate-emitter voltage: ±30V Pulsed collector current: 200A Semiconductor structure: single transistor Max. off-state voltage: 1.2kV Electrical mounting: screw Mechanical mounting: screw Type of module: IGBT |
товар відсутній |