APT50GP60B2DQ2G Microchip Technology
на замовлення 323 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
1+ | 1102.76 грн |
500+ | 939.37 грн |
1000+ | 797.8 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис APT50GP60B2DQ2G Microchip Technology
Description: IGBT 600V 150A 625W TMAX, Packaging: Tube, Package / Case: TO-247-3 Variant, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Input Type: Standard, Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.7V @ 15V, 50A, IGBT Type: PT, Td (on/off) @ 25°C: 19ns/85ns, Switching Energy: 465µJ (on), 635µJ (off), Test Condition: 400V, 50A, 4.3Ohm, 15V, Gate Charge: 165 nC, Current - Collector (Ic) (Max): 150 A, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V, Current - Collector Pulsed (Icm): 190 A, Power - Max: 625 W.
Інші пропозиції APT50GP60B2DQ2G
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ |
---|---|---|---|---|---|
APT50GP60B2DQ2G | Виробник : Microchip Technology | Trans IGBT Chip N-CH 600V 150A 625W 3-Pin(3+Tab) T-MAX Tube |
товар відсутній |
||
APT50GP60B2DQ2G | Виробник : Microchip Technology | Trans IGBT Chip N-CH 600V 150A 625W 3-Pin(3+Tab) T-MAX Tube |
товар відсутній |
||
APT50GP60B2DQ2G | Виробник : MICROCHIP (MICROSEMI) | APT50GP60B2DQ2G THT IGBT transistors |
товар відсутній |
||
APT50GP60B2DQ2G | Виробник : Microchip Technology |
Description: IGBT 600V 150A 625W TMAX Packaging: Tube Package / Case: TO-247-3 Variant Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Input Type: Standard Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.7V @ 15V, 50A IGBT Type: PT Td (on/off) @ 25°C: 19ns/85ns Switching Energy: 465µJ (on), 635µJ (off) Test Condition: 400V, 50A, 4.3Ohm, 15V Gate Charge: 165 nC Current - Collector (Ic) (Max): 150 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V Current - Collector Pulsed (Icm): 190 A Power - Max: 625 W |
товар відсутній |