APT50GN60BG Microchip Technology
на замовлення 5 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
2+ | 352.67 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис APT50GN60BG Microchip Technology
Description: IGBT TRENCH FS 600V 107A TO247, Packaging: Tube, Package / Case: TO-247-3, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Input Type: Standard, Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.85V @ 15V, 50A, Supplier Device Package: TO-247 [B], IGBT Type: Trench Field Stop, Td (on/off) @ 25°C: 20ns/230ns, Switching Energy: 1185µJ (on), 1565µJ (off), Test Condition: 400V, 50A, 4.3Ohm, 15V, Gate Charge: 325 nC, Part Status: Active, Current - Collector (Ic) (Max): 107 A, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V, Current - Collector Pulsed (Icm): 150 A, Power - Max: 366 W.
Інші пропозиції APT50GN60BG за ціною від 294.3 грн до 672.29 грн
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
APT50GN60BG | Виробник : Microchip Technology |
Description: IGBT TRENCH FS 600V 107A TO247 Packaging: Tube Package / Case: TO-247-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Input Type: Standard Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.85V @ 15V, 50A Supplier Device Package: TO-247 [B] IGBT Type: Trench Field Stop Td (on/off) @ 25°C: 20ns/230ns Switching Energy: 1185µJ (on), 1565µJ (off) Test Condition: 400V, 50A, 4.3Ohm, 15V Gate Charge: 325 nC Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 107 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V Current - Collector Pulsed (Icm): 150 A Power - Max: 366 W |
на замовлення 108 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
APT50GN60BG | Виробник : Microchip Technology | IGBTs IGBT Fieldstop Low Frequency Single 600 V 50 A TO-247 |
на замовлення 290 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
APT50GN60BG | Виробник : Microchip Technology / Atmel | IGBT Transistors FG, IGBT, 600V, TO-247, RoHS |
на замовлення 397 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
APT50GN60BG | Виробник : Microchip Technology | Trans IGBT Chip N-CH 600V 107A 366W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube |
на замовлення 150 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
APT50GN60BG | Виробник : MICROCHIP (MICROSEMI) |
Category: THT IGBT transistors Description: Transistor: IGBT; 600V; 64A; 366W; TO247-3 Type of transistor: IGBT Collector-emitter voltage: 600V Collector current: 64A Power dissipation: 366W Case: TO247-3 Gate-emitter voltage: ±30V Pulsed collector current: 150A Mounting: THT Gate charge: 325nC Kind of package: tube Turn-on time: 45ns Turn-off time: 0.4µs |
на замовлення 7 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
APT50GN60BG | Виробник : MICROCHIP (MICROSEMI) |
Category: THT IGBT transistors Description: Transistor: IGBT; 600V; 64A; 366W; TO247-3 Type of transistor: IGBT Collector-emitter voltage: 600V Collector current: 64A Power dissipation: 366W Case: TO247-3 Gate-emitter voltage: ±30V Pulsed collector current: 150A Mounting: THT Gate charge: 325nC Kind of package: tube Turn-on time: 45ns Turn-off time: 0.4µs кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 7 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
APT50GN60BG | Виробник : Microchip Technology | Trans IGBT Chip N-CH 600V 107A 366W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube |
на замовлення 5 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
||||||||||||||||
APT50GN60BG | Виробник : Microchip Technology | Trans IGBT Chip N-CH 600V 107A 366W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube |
товар відсутній |
||||||||||||||||
APT50GN60BG | Виробник : Microchip Technology | Trans IGBT Chip N-CH 600V 107A 366W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube |
товар відсутній |
||||||||||||||||
APT50GN60BG | Виробник : MICROSEMI |
TO-247 [B]INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR - FIELDSTOP LOW FREQ - SINGLE кількість в упаковці: 1 шт |
товар відсутній |