![APT5020BVRG APT5020BVRG](https://static6.arrow.com/aropdfconversion/arrowimages/1de2e05ac9470f2ff1dfb0f5a7a1b8ea2cc50931/apt5022bn.jpg)
APT5020BVRG Microchip Technology
на замовлення 400 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
1+ | 742.39 грн |
100+ | 635.69 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис APT5020BVRG Microchip Technology
Description: MOSFET N-CH 500V 26A TO247, Packaging: Tube, Package / Case: TO-247-3, Mounting Type: Through Hole, Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 26A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 200mOhm @ 500mA, 10V, Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA, Supplier Device Package: TO-247 [B], Part Status: Active, Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 225 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4440 pF @ 25 V.
Інші пропозиції APT5020BVRG за ціною від 649.05 грн до 799.5 грн
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() |
APT5020BVRG | Виробник : Microchip Technology |
![]() |
на замовлення 484 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||
![]() |
APT5020BVRG | Виробник : Microchip Technology |
![]() |
на замовлення 400 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||
![]() |
APT5020BVRG | Виробник : MICROCHIP (MICROSEMI) |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 26A; 300W; TO247 Case: TO247 Mounting: THT On-state resistance: 0.2Ω Type of transistor: N-MOSFET Power dissipation: 300W Polarisation: unipolar Kind of package: tube Gate charge: 225nC Technology: POWER MOS V® Kind of channel: enhanced Gate-source voltage: ±30V Drain-source voltage: 500V Drain current: 26A кількість в упаковці: 1 шт |
товар відсутній |
|||||||
![]() |
APT5020BVRG | Виробник : Microchip Technology |
![]() Packaging: Tube Package / Case: TO-247-3 Mounting Type: Through Hole Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 26A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 200mOhm @ 500mA, 10V Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA Supplier Device Package: TO-247 [B] Part Status: Active Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 225 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4440 pF @ 25 V |
товар відсутній |
|||||||
![]() |
APT5020BVRG | Виробник : MICROCHIP (MICROSEMI) |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 26A; 300W; TO247 Case: TO247 Mounting: THT On-state resistance: 0.2Ω Type of transistor: N-MOSFET Power dissipation: 300W Polarisation: unipolar Kind of package: tube Gate charge: 225nC Technology: POWER MOS V® Kind of channel: enhanced Gate-source voltage: ±30V Drain-source voltage: 500V Drain current: 26A |
товар відсутній |