Технічний опис APT5018BFLLG Microchip Technology
Category: THT N channel transistors, Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 27A; Idm: 108A; 300W; TO247-3, Type of transistor: N-MOSFET, Technology: POWER MOS 7®, Polarisation: unipolar, Drain-source voltage: 500V, Drain current: 27A, Pulsed drain current: 108A, Power dissipation: 300W, Case: TO247-3, Gate-source voltage: ±30V, On-state resistance: 0.18Ω, Mounting: THT, Gate charge: 58nC, Kind of channel: enhanced, кількість в упаковці: 1 шт.
Інші пропозиції APT5018BFLLG
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ |
---|---|---|---|---|---|
![]() |
APT5018BFLLG | Виробник : MICROCHIP (MICROSEMI) |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 27A; Idm: 108A; 300W; TO247-3 Type of transistor: N-MOSFET Technology: POWER MOS 7® Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 500V Drain current: 27A Pulsed drain current: 108A Power dissipation: 300W Case: TO247-3 Gate-source voltage: ±30V On-state resistance: 0.18Ω Mounting: THT Gate charge: 58nC Kind of channel: enhanced кількість в упаковці: 1 шт |
товар відсутній |
|
![]() |
APT5018BFLLG | Виробник : Microchip Technology |
![]() |
товар відсутній |
|
![]() |
APT5018BFLLG | Виробник : Microchip / Microsemi |
![]() |
товар відсутній |
|
![]() |
APT5018BFLLG | Виробник : MICROCHIP (MICROSEMI) |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 27A; Idm: 108A; 300W; TO247-3 Type of transistor: N-MOSFET Technology: POWER MOS 7® Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 500V Drain current: 27A Pulsed drain current: 108A Power dissipation: 300W Case: TO247-3 Gate-source voltage: ±30V On-state resistance: 0.18Ω Mounting: THT Gate charge: 58nC Kind of channel: enhanced |
товар відсутній |