![APT5017SVRG APT5017SVRG](https://www.mouser.com/images/microsemi/lrg/D3PAK_3_DSL.jpg)
APT5017SVRG Microchip Technology
на замовлення 36 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
1+ | 1020.08 грн |
100+ | 868.1 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис APT5017SVRG Microchip Technology
Category: SMD N channel transistors, Description: Transistor: N-MOSFET; POWER MOS 5®; unipolar; 500V; 30A; Idm: 120A, Type of transistor: N-MOSFET, Technology: POWER MOS 5®, Polarisation: unipolar, Drain-source voltage: 500V, Drain current: 30A, Pulsed drain current: 120A, Power dissipation: 370W, Case: D3PAK, Gate-source voltage: ±30V, On-state resistance: 0.17Ω, Mounting: SMD, Gate charge: 300nC, Kind of channel: enhanced, кількість в упаковці: 1 шт.
Інші пропозиції APT5017SVRG
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ |
---|---|---|---|---|---|
![]() |
APT5017SVRG | Виробник : Microchip Technology |
![]() |
товар відсутній |
|
![]() |
APT5017SVRG | Виробник : MICROCHIP (MICROSEMI) |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; POWER MOS 5®; unipolar; 500V; 30A; Idm: 120A Type of transistor: N-MOSFET Technology: POWER MOS 5® Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 500V Drain current: 30A Pulsed drain current: 120A Power dissipation: 370W Case: D3PAK Gate-source voltage: ±30V On-state resistance: 0.17Ω Mounting: SMD Gate charge: 300nC Kind of channel: enhanced кількість в упаковці: 1 шт |
товар відсутній |
|
|
APT5017SVRG | Виробник : Microchip Technology |
![]() |
товар відсутній |
|
![]() |
APT5017SVRG | Виробник : MICROCHIP (MICROSEMI) |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; POWER MOS 5®; unipolar; 500V; 30A; Idm: 120A Type of transistor: N-MOSFET Technology: POWER MOS 5® Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 500V Drain current: 30A Pulsed drain current: 120A Power dissipation: 370W Case: D3PAK Gate-source voltage: ±30V On-state resistance: 0.17Ω Mounting: SMD Gate charge: 300nC Kind of channel: enhanced |
товар відсутній |