![APT5015BVRG APT5015BVRG](https://www.mouser.com/images/mouserelectronics/lrg/TO_247_3_t.jpg)
APT5015BVRG Microchip Technology
на замовлення 3 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
1+ | 984 грн |
100+ | 837.38 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис APT5015BVRG Microchip Technology
Category: THT N channel transistors, Description: Transistor: N-MOSFET; POWER MOS 5®; unipolar; 500V; 32A; Idm: 128A, Type of transistor: N-MOSFET, Technology: POWER MOS 5®, Polarisation: unipolar, Drain-source voltage: 500V, Drain current: 32A, Pulsed drain current: 128A, Power dissipation: 370W, Case: TO247-3, Gate-source voltage: ±30V, On-state resistance: 0.15Ω, Mounting: THT, Gate charge: 300nC, Kind of channel: enhanced, кількість в упаковці: 1 шт.
Інші пропозиції APT5015BVRG
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ |
---|---|---|---|---|---|
![]() |
APT5015BVRG | Виробник : Microchip Technology |
![]() |
товар відсутній |
|
![]() |
APT5015BVRG | Виробник : Microchip Technology |
![]() |
товар відсутній |
|
![]() |
APT5015BVRG | Виробник : MICROCHIP (MICROSEMI) |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; POWER MOS 5®; unipolar; 500V; 32A; Idm: 128A Type of transistor: N-MOSFET Technology: POWER MOS 5® Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 500V Drain current: 32A Pulsed drain current: 128A Power dissipation: 370W Case: TO247-3 Gate-source voltage: ±30V On-state resistance: 0.15Ω Mounting: THT Gate charge: 300nC Kind of channel: enhanced кількість в упаковці: 1 шт |
товар відсутній |
|
APT5015BVRG | Виробник : MICROSEMI |
![]() кількість в упаковці: 30 шт |
товар відсутній |
||
![]() |
APT5015BVRG | Виробник : Microchip Technology |
![]() |
товар відсутній |
|
![]() |
APT5015BVRG | Виробник : MICROCHIP (MICROSEMI) |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; POWER MOS 5®; unipolar; 500V; 32A; Idm: 128A Type of transistor: N-MOSFET Technology: POWER MOS 5® Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 500V Drain current: 32A Pulsed drain current: 128A Power dissipation: 370W Case: TO247-3 Gate-source voltage: ±30V On-state resistance: 0.15Ω Mounting: THT Gate charge: 300nC Kind of channel: enhanced |
товар відсутній |