![APT5015BVFRG APT5015BVFRG](https://mm.digikey.com/Volume0/opasdata/d220001/medias/images/413/TO-247-3-PKG-Series.jpg)
APT5015BVFRG Microchip Technology
![6301-apt5015bvfrg-apt5015svfrg-datasheet](/images/adobe-acrobat.png)
Description: MOSFET N-CH 500V 32A TO247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 32A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 150mOhm @ 500mA, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-247 [B]
Part Status: Active
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 300 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5280 pF @ 25 V
на замовлення 40 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
1+ | 926.05 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис APT5015BVFRG Microchip Technology
Description: MOSFET N-CH 500V 32A TO247, Packaging: Tube, Package / Case: TO-247-3, Mounting Type: Through Hole, Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 32A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 150mOhm @ 500mA, 10V, Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA, Supplier Device Package: TO-247 [B], Part Status: Active, Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 300 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5280 pF @ 25 V.
Інші пропозиції APT5015BVFRG
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ |
---|---|---|---|---|---|
APT5015BVFRG | Виробник : Microsemi |
![]() |
на замовлення 40 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
||
![]() |
APT5015BVFRG | Виробник : Microchip Technology |
![]() |
товар відсутній |
|
![]() |
APT5015BVFRG | Виробник : Microchip Technology |
![]() |
товар відсутній |
|
![]() |
APT5015BVFRG | Виробник : MICROCHIP (MICROSEMI) |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; POWER MOS 5®; unipolar; 500V; 32A; Idm: 128A Type of transistor: N-MOSFET Technology: POWER MOS 5® Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 500V Drain current: 32A Pulsed drain current: 128A Power dissipation: 370W Case: TO247-3 Gate-source voltage: ±30V On-state resistance: 0.15Ω Mounting: THT Gate charge: 300nC Kind of channel: enhanced кількість в упаковці: 1 шт |
товар відсутній |
|
APT5015BVFRG | Виробник : Microchip Technology |
![]() |
товар відсутній |
||
![]() |
APT5015BVFRG | Виробник : MICROCHIP (MICROSEMI) |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; POWER MOS 5®; unipolar; 500V; 32A; Idm: 128A Type of transistor: N-MOSFET Technology: POWER MOS 5® Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 500V Drain current: 32A Pulsed drain current: 128A Power dissipation: 370W Case: TO247-3 Gate-source voltage: ±30V On-state resistance: 0.15Ω Mounting: THT Gate charge: 300nC Kind of channel: enhanced |
товар відсутній |